IPP70N04S406AKSA1 è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per IPP70N04S406AKSA1, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per IPP70N04S406AKSA1 via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista IPP70N04S406AKSA1 con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
IPP70N04S406AKSA1
- Modello di prodotti:
- IPP70N04S406AKSA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3-1
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 35311 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- IPP70N04S406AKSA1.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - Prova: | 2550pF @ 25V |
| Tensione - Ripartizione: | PG-TO220-3-1 |
| Vgs (th) (max) a Id: | 6.5 mOhm @ 70A, 10V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Stato RoHS: | Tube |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 70A (Tc) |
| Polarizzazione: | TO-220-3 |
| Altri nomi: | IPP70N04S4-06 IPP70N04S4-06-ND SP000711480 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 14 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IPP70N04S406AKSA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 32nC @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 4V @ 26µA |
| Caratteristica FET: | N-Channel |
| Descrizione espansione: | N-Channel 40V 70A (Tc) 58W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
| Tensione drain-source (Vdss): | - |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3-1 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 40V |
| rapporto di capacità: | 58W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IPP70N04S406AKSA1
Latest Notizie
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico
- Vishay lancia l'imballaggio minile ad alta luminosità a LED blu e verde puro
- Ansonmei ha lanciato un sensore di posizione induttivo per il mercato industriale e dei trasporti
- Ruisa inizia la vecchia fabbrica per aumentare il dispositivo di alimentazione, il terremoto influisce su lieve uscita DRAM
- Il microchip consente la capacità di produzione di TSMC e aumenta gli aumenti dei prezzi