FCPF22N60NT è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per FCPF22N60NT, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per FCPF22N60NT via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista FCPF22N60NT con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
FCPF22N60NT
- Modello di prodotti:
- FCPF22N60NT
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 600V 22A TO-220F
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 43528 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- FCPF22N60NT.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - Prova: | 1950pF @ 100V |
| Tensione - Ripartizione: | TO-220F |
| Vgs (th) (max) a Id: | 165 mOhm @ 11A, 10V |
| Vgs (Max): | 10V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | SupreMOS™ |
| Stato RoHS: | Tube |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 22A (Tc) |
| Polarizzazione: | TO-220-3 Full Pack |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 6 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | FCPF22N60NT |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 45nC @ 10V |
| Tipo IGBT: | ±45V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 4V @ 250µA |
| Caratteristica FET: | N-Channel |
| Descrizione espansione: | N-Channel 600V 22A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F |
| Tensione drain-source (Vdss): | - |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 600V 22A TO-220F |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 600V |
| rapporto di capacità: | 39W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per FCPF22N60NT
Latest Notizie
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico
- Vishay lancia l'imballaggio minile ad alta luminosità a LED blu e verde puro
- Ansonmei ha lanciato un sensore di posizione induttivo per il mercato industriale e dei trasporti