C410C512J3G5TA è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per C410C512J3G5TA, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per C410C512J3G5TA via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista C410C512J3G5TA con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
C410C512J3G5TA
- Modello di prodotti:
- C410C512J3G5TA
- fabbricante:
- KEMET
- Descrizione:
- CAP CER 5100PF 25V C0G AXIAL
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 59697 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- C410C512J3G5TA.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione nominale - ca: | - |
| Tensione - nominale: | 25V |
| Tolleranza: | 5100pF |
| Spessore (max): | C0G, NP0 |
| Montaggio superficiale Superficie Terreno: | - |
| Dimensioni / Dimension: | 0.095" Dia x 0.170" L (2.41mm x 4.32mm) |
| Serie: | Aximax 400 |
| Stato RoHS: | Bulk |
| Corrente di ondulazione - bassa frequenza: | Bypass, Decoupling |
| Giudizi: | - |
| Polarizzazione: | Axial |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 125°C |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 13 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | C410C512J3G5TA |
| Tipo conduttore: | - |
| Altezza - In sede (max): | - |
| Caratteristiche: | Low ESL |
| Tasso di fallimento: | - |
| Descrizione espansione: | 5100pF ±5% 25V Ceramic Capacitor C0G, NP0 Axial |
| ESR (Resistenza in serie equivalente): | ±5% |
| Descrizione: | CAP CER 5100PF 25V C0G AXIAL |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per C410C512J3G5TA
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
C410C512J3G5TA7200 | KEMET | CAP CER 5100PF 25V C0G/NP0 AXIAL | Inchiesta |
|
C410C512J5G5TA7200 | KEMET | CAP CER 5100PF 50V C0G/NP0 AXIAL | Inchiesta |
|
C410C512GAG5TA | KEMET | CAP CER 5100PF 250V C0G AXIAL | Inchiesta |
|
C410C512JAG5TA | KEMET | CAP CER 5100PF 250V C0G AXIAL | Inchiesta |
|
C410C512J2G5TA7200 | KEMET | CAP CER 5100PF 200V C0G AXIAL | Inchiesta |
|
C410C512G3G5TA | KEMET | CAP CER 5100PF 25V C0G/NP0 AXIAL | Inchiesta |
|
C410C512G3G5TA7200 | KEMET | CAP CER 5100PF 25V C0G/NP0 AXIAL | Inchiesta |
|
C410C512J1G5TA | KEMET | CAP CER 5100PF 100V C0G AXIAL | Inchiesta |
|
C410C512K1G5TA7200 | KEMET | CAP CER 5100PF 100V C0G AXIAL | Inchiesta |
|
C410C512G5G5TA | KEMET | CAP CER 5100PF 50V C0G/NP0 AXIAL | Inchiesta |
|
C410C512K2G5TA | KEMET | CAP CER 5100PF 200V C0G AXIAL | Inchiesta |
|
C410C512K2G5TA7200 | KEMET | CAP CER 5100PF 200V C0G AXIAL | Inchiesta |
|
C410C512JAG5TA7200 | KEMET | CAP CER 5100PF 250V C0G AXIAL | Inchiesta |
|
C410C512J2G5TA | KEMET | CAP CER 5100PF 200V C0G AXIAL | Inchiesta |
|
C410C512GAG5TA7200 | KEMET | CAP CER 5100PF 250V C0G AXIAL | Inchiesta |
|
C410C512K3G5TA | KEMET | CAP CER 5100PF 25V C0G/NP0 AXIAL | Inchiesta |
|
C410C512K1G5TA | KEMET | CAP CER 5100PF 100V C0G AXIAL | Inchiesta |
|
C410C512J1G5TA7200 | KEMET | CAP CER 5100PF 100V C0G AXIAL | Inchiesta |
|
C410C512J5G5TA | KEMET | CAP CER 5100PF 50V C0G AXIAL | Inchiesta |
|
C410C512G5G5TA7200 | KEMET | CAP CER 5100PF 50V C0G/NP0 AXIAL | Inchiesta |
Latest Notizie
- Il braccio è apparso in Computex 2024: si prevede che entro la fine del 2025 possono essere utilizzati oltre 100 miliardi di dispositivi ARM
- Qorvo ha lanciato le eccezionali preliminari 5G MMIMO ad alto livello del settore
- Inventario del ciclo di simulazione Sottomarcia, Ai guida la domanda di memoria flash continua
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico