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APT5016BLLG
- Modello di prodotti:
- APT5016BLLG
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 55798 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- APT5016BLLG.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - Prova: | 2833pF @ 25V |
| Tensione - Ripartizione: | TO-247 [B] |
| Vgs (th) (max) a Id: | 160 mOhm @ 15A, 10V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | POWER MOS 7® |
| Stato RoHS: | Tube |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 30A (Tc) |
| Polarizzazione: | TO-247-3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | APT5016BLLG |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 72nC @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 5V @ 1mA |
| Caratteristica FET: | N-Channel |
| Descrizione espansione: | N-Channel 500V 30A (Tc) 329W (Tc) Through Hole TO-247 [B] |
| Tensione drain-source (Vdss): | - |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 500V |
| rapporto di capacità: | 329W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APT5016BLLG
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APT5012JN | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 43A ISOTOP | Inchiesta |
 |
APT5016BFLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 | Inchiesta |
 |
APT5014SLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 35A D3PAK | Inchiesta |
 |
APT50GF120B2RG | Microsemi | IGBT 1200V 135A 781W TMAX | Inchiesta |
|
APT5025BN | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 23A TO247AD | Inchiesta |
|
APT5024BLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 22A TO-247 | Inchiesta |
|
APT5018BLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 27A TO-247 | Inchiesta |
|
APT5020BN | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 28A TO247AD | Inchiesta |
 |
APT50DL60HJ | Microsemi | MOD DIODE 600V SOT-227 | Inchiesta |
 |
APT5010JVRU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 | Inchiesta |
|
APT5014B2VRG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V T-MAX | Inchiesta |
 |
APT5010LLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 46A TO-264 | Inchiesta |
|
APT5022BNG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 27A TO247AD | Inchiesta |
|
APT5014SLLG/TR | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 35A TO-247 | Inchiesta |
|
APT5010LFLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 46A TO-264 | Inchiesta |
|
APT5014BLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 35A TO-247 | Inchiesta |
|
APT50DF170HJ | Microsemi | MOD DIODE 1700V SOT-227 | Inchiesta |
|
APT5020BNFR | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 28A TO247AD | Inchiesta |
|
APT5010JVRU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 | Inchiesta |
|
APT50DL120HJ | Microsemi | MOD DIODE 1200V SOT-227 | Inchiesta |
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