30ETH06 è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per 30ETH06, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per 30ETH06 via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista 30ETH06 con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
30ETH06
- Modello di prodotti:
- 30ETH06
- fabbricante:
- Descrizione:
- DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC
- Stato senza piombo:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- Quantità di magazzino:
- 29041 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 30ETH06.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - Picco inversa (max): | Standard |
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 30A |
| Tensione - Ripartizione: | TO-220AC |
| Serie: | FRED Pt® |
| Stato RoHS: | Tube |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Resistenza a If, F: | - |
| Polarizzazione: | TO-220-2 |
| Altri nomi: | *30ETH06 VS-30ETH06 VS-30ETH06-ND VS30ETH06 VS30ETH06-ND |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | 35ns |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | 30ETH06 |
| Descrizione espansione: | Diode Standard 600V 30A Through Hole TO-220AC |
| Configurazione diodo: | 50µA @ 600V |
| Descrizione: | DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 2.6V @ 30A |
| Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo): | 600V |
| Capacità a Vr, F: | -65°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per 30ETH06
Latest Notizie
- Qorvo ha lanciato le eccezionali preliminari 5G MMIMO ad alto livello del settore
- Inventario del ciclo di simulazione Sottomarcia, Ai guida la domanda di memoria flash continua
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC