SIHP30N60E-GE3 tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk SIHP30N60E-GE3, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk SIHP30N60E-GE3 melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli SIHP30N60E-GE3 dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]
SIHP30N60E-GE3
- Nomor bagian:
- SIHP30N60E-GE3
- Pabrikan:
- Vishay / Siliconix
- Deskripsi:
- MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
- Status Bebas Timbal:
- Memimpin bebas / RoHS Compliant
- Jumlah stok:
- 36446 Pieces
- Waktu pengiriman:
- 1-2 days
- Lead time:
- 4-8 weeks
- Lembaran data:
- SIHP30N60E-GE3.pdf
pengantar
Spesifikasi
| Kondisi | New & Original, tested |
|---|---|
| Negara Asal | Contact us |
| Kode Penandaan | Send by email |
| Tegangan - Uji: | 2600pF @ 100V |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 125 mOhm @ 15A, 10V |
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Seri: | E |
| Status RoHS: | Digi-Reel® |
| Rds Pada (Max) @ Id, Vgs: | 29A (Tc) |
| Polarisasi: | TO-220-3 |
| Nama lain: | SIHP30N60E-GE3DKR |
| Suhu Operasional: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| mount Jenis: | Through Hole |
| Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Manufacturer Standard Lead Time: | 21 Weeks |
| Nomor Bagian Produsen: | SIHP30N60E-GE3 |
| Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS: | 130nC @ 10V |
| IGBT Jenis: | ±30V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 4V @ 250µA |
| Fitur FET: | N-Channel |
| Deskripsi yang Diperluas: | N-Channel 600V 29A (Tc) 250W (Tc) Through Hole |
| Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss): | - |
| Deskripsi: | MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C: | 600V |
| kapasitansi Ratio: | 250W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
bagian terkait untuk SIHP30N60E-GE3
Latest Berita
- Laporan Keuangan NXP dan Ansonmei diumumkan, dan harga harga tembaga ditransmisikan ke industri IC
- Moels Micro Electronics telah mendirikan kantor baru di Taiwan, Cina untuk memperluas wilayah bisnis
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Laporan keuangan kuartal pertama dari SEF Semiconductor (ST) berkurang, dan permintaan mobil telah melambat
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Volume chip matang lokal, Samsung Nand Flash Memory Production Kapasitas dekat beban
- Vishay Meluncurkan Kemasan Terganggu Kecerahan Tinggi Biru Kecil dan Hijau Murni LED
- Ansonmei meluncurkan sensor posisi induktif untuk pasar industri dan transportasi
- Ruisa memulai pabrik lama untuk meningkatkan perangkat daya, gempa mempengaruhi output dram ringan
- Microchip memungkinkan kapasitas produksi TSMC dan kenaikan harga
- Ruisa meluncurkan entri daya Ultra -Low -Level Series RA0
- Melexis meluncurkan chip sakelar induktor terintegrasi penuh