SI8424CDB-T1-E1 tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk SI8424CDB-T1-E1, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk SI8424CDB-T1-E1 melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli SI8424CDB-T1-E1 dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]
SI8424CDB-T1-E1
- Nomor bagian:
- SI8424CDB-T1-E1
- Pabrikan:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Deskripsi:
- MOSFET N-CH 8V MICROFOOT
- Status Bebas Timbal:
- Memimpin bebas / RoHS Compliant
- Jumlah stok:
- 40945 Pieces
- Waktu pengiriman:
- 1-2 days
- Lead time:
- 4-8 weeks
- Lembaran data:
- SI8424CDB-T1-E1.pdf
pengantar
Spesifikasi
| Kondisi | New & Original, tested |
|---|---|
| Negara Asal | Contact us |
| Kode Penandaan | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 800mV @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±5V |
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paket Perangkat pemasok: | 4-Microfoot |
| Seri: | TrenchFET® |
| Rds Pada (Max) @ Id, Vgs: | 20 mOhm @ 2A, 4.5V |
| Power Disipasi (Max): | 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) |
| Pengemasan: | Cut Tape (CT) |
| Paket / Case: | 4-UFBGA, WLCSP |
| Nama lain: | SI8424CDB-T1-E1CT |
| Suhu Operasional: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| mount Jenis: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status Gratis Memimpin / Status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS: | 2340pF @ 4V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 40nC @ 4.5V |
| FET Jenis: | N-Channel |
| Fitur FET: | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif): | 1.2V, 4.5V |
| Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss): | 8V |
| Detil Deskripsi: | N-Channel 8V 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
bagian terkait untuk SI8424CDB-T1-E1
Latest Berita
- Ansonmei meluncurkan sensor posisi induktif untuk pasar industri dan transportasi
- Ruisa memulai pabrik lama untuk meningkatkan perangkat daya, gempa mempengaruhi output dram ringan
- Microchip memungkinkan kapasitas produksi TSMC dan kenaikan harga
- Ruisa meluncurkan entri daya Ultra -Low -Level Series RA0
- Melexis meluncurkan chip sakelar induktor terintegrasi penuh
- X-FAB Memperkenalkan Teknologi Sensor Back Sensor untuk Meningkatkan Kinerja Sensor CMOS
- Pabrik chip besar dipengaruhi oleh gempa bumi: TSMC berhenti bekerja segera, memperburuk pasokan GPU dalam pasokan pendek?
- Memori nand flash berlanjut, mcu destocking bount benar
- Di bawah outlet AI Air, dua raksasa chip utama "tidak kuat": menghancurkan uang untuk memecahkan permainan, bertaruh pada 2025 pertempuran tim
- Toshiba meluncurkan SmartMCD Seri Gate Driver IC dengan mikrokontroler tertanam
- Samsung: Hadapi tantangan dari dua bidang utama, mengumpulkan dana untuk melanggar situasi
- Pengecoran margin dewasa mengurangi harga lagi, Samsung tidak tergantung pada memori NVIDIA HBM3E