Az TNPW251210K0FHTG most elérhető!Az LYNTEAM technológia az TNPW251210K0FHTG állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetTNPW251210K0FHTGe-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon TNPW251210K0FHTG LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
TNPW251210K0FHTG
- Cikkszám:
- TNPW251210K0FHTG
- Gyártó:
- Dale / Vishay
- Leírás:
- RES SMD 10K OHM 1% 1/2W 2512
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 47025 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- TNPW251210K0FHTG.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültségosztály - AC: | - |
| Feszültség - munka: | 0.5W, 1/2W |
| Feszültségelosztás: | 2512 |
| Vastagság (Max): | ±50ppm/°C |
| Méret / dimenzió: | 0.248" L x 0.122" W (6.30mm x 3.10mm) |
| Sorozat: | TNPW |
| RoHS állapot: | Tape & Reel (TR) |
| Polarizáció: | 2512 (6432 Metric) |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 125°C |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Gyártási szám: | TNPW251210K0FHTG |
| Magasság - Ülés (Max): | 0.030" (0.75mm) |
| Jellemzők: | - |
| FIFO féle: | 2 |
| Bővített leírás: | 10k Ohm ±1% 0.5W, 1/2W Chip Resistor 2512 (6432 Metric) Thin Film |
| ESR (egyenértékű sorozat rezisztencia): | ±1% |
| Leírás: | RES SMD 10K OHM 1% 1/2W 2512 |
| Bevonat, ház típus: | Thin Film |
| Sávszélesség: | 10k |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az TNPW251210K0FHTG-hoz
Latest News
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be