Az RWR82S6650FSB12 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az RWR82S6650FSB12 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetRWR82S6650FSB12e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon RWR82S6650FSB12 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
RWR82S6650FSB12
- Cikkszám:
- RWR82S6650FSB12
- Gyártó:
- Dale / Vishay
- Leírás:
- RES 665 OHM 1.5W 1% AXIAL
- Ólommentes állapot:
- Ólom / RoHS nem megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 37640 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- RWR82S6650FSB12.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültségosztály - AC: | S (0.001%) |
| Feszültség - munka: | 1.5W |
| Feszültségelosztás: | Axial |
| Vastagság (Max): | ±20ppm/°C |
| Méret / dimenzió: | 0.078" Dia x 0.312" L (1.98mm x 7.92mm) |
| Sorozat: | Military, MIL-PRF-39007, RWR82S |
| RoHS állapot: | Bulk |
| Polarizáció: | Axial |
| Más nevek: | RWR82S6650FSB12-MIL |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 250°C |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 15 Weeks |
| Gyártási szám: | RWR82S6650FSB12 |
| Magasság - Ülés (Max): | - |
| Jellemzők: | Military, Moisture Resistant |
| FIFO féle: | 2 |
| Bővített leírás: | 665 Ohm ±1% 1.5W Through Hole Resistor Axial Military, Moisture Resistant Wirewound |
| ESR (egyenértékű sorozat rezisztencia): | ±1% |
| Leírás: | RES 665 OHM 1.5W 1% AXIAL |
| Bevonat, ház típus: | Wirewound |
| Sávszélesség: | 665 |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az RWR82S6650FSB12-hoz
Latest News
- Az ARM megjelenik a Computex 2024 -ben: Várható, hogy 2025 végéig több mint 100 milliárd ARM -eszköz használható az AI -hez.
- A Qorvo elindította az iparág kiemelkedő, magas szintű 5G Mmimo előzetes előadását
- A szimulációs ciklus leltárának alsó része az AI meghajtja a flash memóriaigényt
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos