Az GP10M-4007-M3/54 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az GP10M-4007-M3/54 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetGP10M-4007-M3/54e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon GP10M-4007-M3/54 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
GP10M-4007-M3/54
- Cikkszám:
- GP10M-4007-M3/54
- Gyártó:
- Leírás:
- DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 35103 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- GP10M-4007-M3/54.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - Peak Reverse (Max): | Standard |
| Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: | 1A |
| Feszültségelosztás: | DO-204AL (DO-41) |
| Sorozat: | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® |
| RoHS állapot: | Tape & Reel (TR) |
| Hátralévő helyreállítási idő (trr): | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Ellenállás @ If, F: | 7pF @ 4V, 1MHz |
| Polarizáció: | DO-204AL, DO-41, Axial |
| Más nevek: | GP10-4007-M3/54 GP10-4007-M3/54-ND |
| Működési hőmérséklet - csatlakozás: | 3µs |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Gyártási szám: | GP10M-4007-M3/54 |
| Bővített leírás: | Diode Standard 1000V (1kV) 1A Through Hole DO-204AL (DO-41) |
| Dióda konfiguráció: | 5µA @ 1000V |
| Leírás: | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL |
| Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr: | 1.2V @ 1A |
| Aktuális - Átlagosan korrigált (Io) (diódánként): | 1000V (1kV) |
| Capacitance @ Vr, F: | -65°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az GP10M-4007-M3/54-hoz
Latest News
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- Helyi érett chipmennyiség, Samsung Nand flash memória előállítási kapacitása a terhelés közelében