Az BYG24GHE3/TR most elérhető!Az LYNTEAM technológia az BYG24GHE3/TR állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetBYG24GHE3/TRe-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon BYG24GHE3/TR LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
BYG24GHE3/TR
- Cikkszám:
- BYG24GHE3/TR
- Gyártó:
- Leírás:
- DIODE AVALANCHE 400V 1.5A
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 37889 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - Peak Reverse (Max): | Avalanche |
| Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha: | 1.5A |
| Feszültségelosztás: | DO-214AC (SMA) |
| Sorozat: | - |
| RoHS állapot: | Tape & Reel (TR) |
| Hátralévő helyreállítási idő (trr): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Ellenállás @ If, F: | - |
| Polarizáció: | DO-214AC, SMA |
| Működési hőmérséklet - csatlakozás: | 140ns |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 14 Weeks |
| Gyártási szám: | BYG24GHE3/TR |
| Bővített leírás: | Diode Avalanche 400V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA) |
| Dióda konfiguráció: | 1µA @ 400V |
| Leírás: | DIODE AVALANCHE 400V 1.5A |
| Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr: | 1.25V @ 1.5A |
| Aktuális - Átlagosan korrigált (Io) (diódánként): | 400V |
| Capacitance @ Vr, F: | -55°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az BYG24GHE3/TR-hoz
Latest News
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be