Az 1N829-1 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az 1N829-1 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervet1N829-1e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon 1N829-1 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
1N829-1
- Cikkszám:
- 1N829-1
- Gyártó:
- Microsemi
- Leírás:
- DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
- Ólommentes állapot:
- Ólom / RoHS nem megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 20473 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- 1N829-1.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - Izolálás: | 15 Ohm |
| Feszültségelosztás: | DO-35 |
| Sorozat: | - |
| RoHS állapot: | Bulk |
| Teljesítmény - Max: | 500mW |
| Polarizáció: | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 175°C |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 20 Weeks |
| Gyártási szám: | 1N829-1 |
| Impedancia (Max) (Zzt): | 6.2V |
| Bővített leírás: | Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35 |
| ESR (egyenértékű sorozat rezisztencia): | ±5% |
| Dióda konfiguráció: | 2µA @ 3V |
| Leírás: | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 |
| Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr: | - |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az 1N829-1-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
1N827A-1E3 | Microsemi | OTC TEMPERATURE COMPENSATED ZENE | Vizsgálat |
|
1N827A-1 | Microsemi | OTC TEMPERATURE COMPENSATED ZENE | Vizsgálat |
 |
1N827AUR | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA | Vizsgálat |
 |
1N829A | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 | Vizsgálat |
|
1N827UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA | Vizsgálat |
|
1N825AUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA | Vizsgálat |
|
1N829AUR | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA | Vizsgálat |
|
1N829 | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 | Vizsgálat |
|
1N827A | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 | Vizsgálat |
|
1N829A (DO35) | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 | Vizsgálat |
|
1N827-1 | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 | Vizsgálat |
|
1N829AUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA | Vizsgálat |
|
1N825UR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 6.55V 500MW DO213AA | Vizsgálat |
|
1N828 | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 | Vizsgálat |
|
1N827A (DO35) | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 | Vizsgálat |
|
1N826 | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 | Vizsgálat |
|
1N825E3 | Microsemi | OTC TEMPERATURE COMPENSATED ZENE | Vizsgálat |
|
1N827AUR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA | Vizsgálat |
|
1N827 | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 | Vizsgálat |
|
1N829UR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA | Vizsgálat |
Latest News
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- Helyi érett chipmennyiség, Samsung Nand flash memória előállítási kapacitása a terhelés közelében