Το ULN2003ADRG3 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την ULN2003ADRG3, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το ULN2003ADRG3 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε ULN2003ADRG3 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
ULN2003ADRG3
- Αριθμός εξαρτήματος:
- ULN2003ADRG3
- Κατασκευαστής:
- TI
- Περιγραφή:
- IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOIC
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 59950 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- ULN2003ADRG3.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max): | 50V |
| VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic: | 1.6V @ 500µA, 350mA |
| transistor Τύπος: | 7 NPN Darlington |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 16-SOIC |
| Σειρά: | - |
| Ισχύς - Max: | - |
| Συσκευασία: | Original-Reel® |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Αλλα ονόματα: | 296-27596-6 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -20°C ~ 70°C (TA) |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 2 (1 Year) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 16 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Συχνότητα - Μετάβαση: | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA 16-SOIC |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | - |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max): | 50µA |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max): | 500mA |
| Αριθμός μέρους βάσης: | ULN2003A |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για ULN2003ADRG3
Latest Ειδήσεις
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS
- Το μεγάλο εργοστάσιο τσιπ επηρεάστηκε από τον σεισμό: η TSMC σταμάτησε να λειτουργεί επειγόντως, επιδεινώνοντας την παροχή GPU σε σύντομο χρονικό διάστημα;
- Η μνήμη Flash Nand συνεχίζεται, το MCU Destocking Bottom είναι σωστό
- Κάτω από την έξοδο AI Air, οι δύο μεγάλοι γίγαντες τσιπ είναι "όχι ισχυρο
- Η Toshiba εγκαινιάζει το SmartMCD Series Gate Driver IC με ενσωματωμένο μικροελεγκτή
- Samsung: Αντιμετωπίστε την πρόκληση των δύο μεγάλων περιοχών, συγκεντρώστε κεφάλαια για να σπάσετε την κατάσταση
- Το ώριμο χυτήριο περιθώριο μειώνει και πάλι την τιμή, η Samsung είναι ανεξάρτητη από τη μνήμη Nvidia HBM3E