Το SIT8924BET1-28N είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την SIT8924BET1-28N, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το SIT8924BET1-28N μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε SIT8924BET1-28N με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
SIT8924BET1-28N
- Αριθμός εξαρτήματος:
- SIT8924BET1-28N
- Κατασκευαστής:
- SiTime
- Περιγραφή:
- OSC PROG LVCMOS 2.8V 20PPM SMD
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 54501 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 1.SIT8924BET1-28N.pdf2.SIT8924BET1-28N.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Προμήθεια: | 2.8V |
| Τύπος: | XO (Standard) |
| Spread Spectrum Bandwidth: | - |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| Σειρά: | SiT8924B |
| Ακροαματικότητα: | AEC-Q100 |
| προγραμματιζόμενη Τύπος: | Programmed by Digi-Key (Enter your frequency in Web Order Notes) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 4-SMD, No Lead |
| Παραγωγή: | LVCMOS, LVTTL |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 105°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ύψος: | 0.032" (0.80mm) |
| Λειτουργία: | - |
| Σταθερότητα Συχνότητας (Σύνολο): | ±20ppm |
| Σταθερότητα συχνότητας: | ±20ppm |
| Λεπτομερής περιγραφή: | XO (Standard) LVCMOS, LVTTL 1MHz ~ 110MHz Programmable Oscillator 2.8V 4-SMD, No Lead |
| Τρέχουσες - Προμήθεια (Max): | 4.8mA |
| Βασικό συντονιστή: | MEMS |
| Διαθέσιμο φάσμα συχνοτήτων: | 1MHz ~ 110MHz |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για SIT8924BET1-28N
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
SIT8924BET2-25N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.5V 20PPM SMD | Έρευνα |
 |
SIT8924BET1-25N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.5V 20PPM SMD | Έρευνα |
|
SIT8924BET1-XXE | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.5-3.3V EN/DS | Έρευνα |
|
SIT8924BET1-30E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3V 20PPM EN/DS | Έρευνα |
|
SIT8924BET1-33E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3.3V EN/DS 20PPM | Έρευνα |
|
SIT8924BET1-18E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 1.8V EN/DS 20PPM | Έρευνα |
|
SIT8924BET2-18N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 1.8V 20PPM SMD | Έρευνα |
|
SIT8924BET1-XXN | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.5-3.3V 20PPM | Έρευνα |
 |
SIT8924BER8-XXN | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.5-3.3V 20PPM | Έρευνα |
|
SIT8924BET1-30N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3V 20PPM SMD | Έρευνα |
|
SIT8924BET2-18E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 1.8V EN/DS 20PPM | Έρευνα |
|
SIT8924BET1-28E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.8V EN/DS 20PPM | Έρευνα |
|
SIT8924BER8-33E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3.3V EN/DS 20PPM | Έρευνα |
|
SIT8924BET1-18N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 1.8V 20PPM SMD | Έρευνα |
|
SIT8924BET1-25E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.5V EN/DS 20PPM | Έρευνα |
|
SIT8924BER8-30N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3V 20PPM SMD | Έρευνα |
|
SIT8924BET2-25E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.5V EN/DS 20PPM | Έρευνα |
|
SIT8924BET1-33N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3.3V 20PPM SMD | Έρευνα |
|
SIT8924BER8-XXE | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.5-3.3V EN/DS | Έρευνα |
|
SIT8924BER8-33N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3.3V 20PPM SMD | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS
- Το μεγάλο εργοστάσιο τσιπ επηρεάστηκε από τον σεισμό: η TSMC σταμάτησε να λειτουργεί επειγόντως, επιδεινώνοντας την παροχή GPU σε σύντομο χρονικό διάστημα;
- Η μνήμη Flash Nand συνεχίζεται, το MCU Destocking Bottom είναι σωστό
- Κάτω από την έξοδο AI Air, οι δύο μεγάλοι γίγαντες τσιπ είναι "όχι ισχυρο
- Η Toshiba εγκαινιάζει το SmartMCD Series Gate Driver IC με ενσωματωμένο μικροελεγκτή
- Samsung: Αντιμετωπίστε την πρόκληση των δύο μεγάλων περιοχών, συγκεντρώστε κεφάλαια για να σπάσετε την κατάσταση
- Το ώριμο χυτήριο περιθώριο μειώνει και πάλι την τιμή, η Samsung είναι ανεξάρτητη από τη μνήμη Nvidia HBM3E