Το SIT8008BCT71-18S-48.000000D είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την SIT8008BCT71-18S-48.000000D, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το SIT8008BCT71-18S-48.000000D μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε SIT8008BCT71-18S-48.000000D με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
SIT8008BCT71-18S-48.000000D
- Αριθμός εξαρτήματος:
- SIT8008BCT71-18S-48.000000D
- Κατασκευαστής:
- SiTime
- Περιγραφή:
- OSC MEMS 48.0000MHZ LVCMOS SMD
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 33404 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- SIT8008BCT71-18S-48.000000D.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τύπος: | MEMS (Silicon) |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
| Shell Style: | 1.8V |
| Σειρά: | SiT8008B |
| Κατάσταση RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Πόλωση: | 4-SMD, No Lead |
| Παραγωγή: | Standby (Power Down) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -20°C ~ 70°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 5 Weeks |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | SIT8008BCT71-18S-48.000000D |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.031" (0.80mm) |
| Ανοχή συχνότητας: | ±20ppm |
| Συχνότητα - Υλοποίηση 1: | 1.3µA |
| Συχνότητα: | 48MHz |
| Διευρυμένη περιγραφή: | 48MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8V 4.1mA Standby (Power Down) |
| Περιγραφή: | OSC MEMS 48.0000MHZ LVCMOS SMD |
| Τρέχουσες - Προμήθεια (Max): | LVCMOS |
| Τρέχουσες - Προμήθεια (Απενεργοποίηση) (Max): | 4.1mA |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για SIT8008BCT71-18S-48.000000D
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
SIT8008BCT7-33S | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3.3V 20PPM STBY | Έρευνα |
 |
SIT8008BCT8-18E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 1.8V EN/DS SMD | Έρευνα |
|
SIT8008BCT8-28E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.8V EN/DS SMD | Έρευνα |
|
SIT8008BCT7-XXS | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.5-3.3V STBY | Έρευνα |
|
SIT8008BCT8-25E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.5V EN/DS SMD | Έρευνα |
|
SIT8008BCT8-25S | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.5V 20PPM STBY | Έρευνα |
|
SIT8008BCT8-18S | SiTime | OSC PROG LVCMOS 1.8V 20PPM STBY | Έρευνα |
|
SIT8008BCT7-33N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3.3V 20PPM SMD | Έρευνα |
|
SIT8008BCT8-25N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.5V 20PPM SMD | Έρευνα |
|
SIT8008BCT8-28S | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.8V 20PPM STBY | Έρευνα |
|
SIT8008BCT7-28S | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.8V 20PPM STBY | Έρευνα |
|
SIT8008BCT7-30S | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3V 20PPM STBY | Έρευνα |
|
SIT8008BCT8-28N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.8V 20PPM SMD | Έρευνα |
|
SIT8008BCT7-30E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3V 20PPM EN/DS | Έρευνα |
|
SIT8008BCT7-XXE | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.5-3.3V EN/DS | Έρευνα |
|
SIT8008BCT7-30N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3V 20PPM SMD | Έρευνα |
|
SIT8008BCT7-XXN | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.25-3.63V SMD | Έρευνα |
|
SIT8008BCT7-33E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3.3V EN/DS SMD | Έρευνα |
|
SIT8008BCT8-18N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 1.8V 20PPM SMD | Έρευνα |
|
SIT8008BCT71-18S-48.000000E | SiTime | OSC MEMS 48.0000MHZ LVCMOS SMD | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS