Το SIT8008BCB3-30E είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την SIT8008BCB3-30E, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το SIT8008BCB3-30E μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε SIT8008BCB3-30E με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
SIT8008BCB3-30E
- Αριθμός εξαρτήματος:
- SIT8008BCB3-30E
- Κατασκευαστής:
- SiTime
- Περιγραφή:
- OSC PROG LVCMOS 3V 20PPM EN/DS
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 21978 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 1.SIT8008BCB3-30E.pdf2.SIT8008BCB3-30E.pdf3.SIT8008BCB3-30E.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Προμήθεια: | 3V |
| Τύπος: | XO (Standard) |
| Spread Spectrum Bandwidth: | - |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm) |
| Σειρά: | SiT8008B |
| Ακροαματικότητα: | - |
| προγραμματιζόμενη Τύπος: | Programmed by Digi-Key (Enter your frequency in Web Order Notes) |
| Συσκευασία: | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 4-SMD, No Lead |
| Παραγωγή: | LVCMOS |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -20°C ~ 70°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ύψος: | 0.031" (0.79mm) |
| Λειτουργία: | Enable/Disable |
| Σταθερότητα Συχνότητας (Σύνολο): | ±20ppm |
| Σταθερότητα συχνότητας: | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | XO (Standard) LVCMOS 1MHz ~ 110MHz Programmable Oscillator 3V Enable/Disable 4-SMD, No Lead |
| Τρέχουσες - Προμήθεια (Max): | 4.5mA |
| Τρέχουσες - Προμήθεια (Απενεργοποίηση) (Max): | 4.2mA |
| Βασικό συντονιστή: | MEMS |
| Διαθέσιμο φάσμα συχνοτήτων: | 1MHz ~ 110MHz |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για SIT8008BCB3-30E
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
SIT8008BCB3-XXN | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.25-3.63V SMD | Έρευνα |
|
SIT8008BCB3-33E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3.3V EN/DS SMD | Έρευνα |
|
SIT8008BCB3-18S | SiTime | OSC PROG LVCMOS 1.8V 20PPM STBY | Έρευνα |
|
SIT8008BCB3-18E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 1.8V EN/DS SMD | Έρευνα |
|
SIT8008BCB3-28N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.8V 20PPM SMD | Έρευνα |
 |
SIT8008BCB23-33E-75.000000E | SiTime | OSC MEMS 75.0000MHZ LVCMOS SMD | Έρευνα |
|
SIT8008BCB3-25E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.5V EN/DS SMD | Έρευνα |
|
SIT8008BCB3-XXS | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.5-3.3V STBY | Έρευνα |
|
SIT8008BCB3-33N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3.3V 20PPM SMD | Έρευνα |
|
SIT8008BCB3-30N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3V 20PPM SMD | Έρευνα |
|
SIT8008BCB3-XXE | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.5-3.3V EN/DS | Έρευνα |
|
SIT8008BCB3-28S | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.8V 20PPM STBY | Έρευνα |
|
SIT8008BCB3-25N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.5V 20PPM SMD | Έρευνα |
|
SIT8008BCB3-30S | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3V 20PPM STBY | Έρευνα |
|
SIT8008BCB3-28E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.8V EN/DS SMD | Έρευνα |
|
SIT8008BCB3-33S | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3.3V 20PPM STBY | Έρευνα |
|
SIT8008BCB3-25S | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.5V 20PPM STBY | Έρευνα |
 |
SIT8008BCB7-18N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 1.8V 20PPM SMD | Έρευνα |
|
SIT8008BCB3-18N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 1.8V 20PPM SMD | Έρευνα |
|
SIT8008BCB7-18E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 1.8V EN/DS SMD | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS
- Το μεγάλο εργοστάσιο τσιπ επηρεάστηκε από τον σεισμό: η TSMC σταμάτησε να λειτουργεί επειγόντως, επιδεινώνοντας την παροχή GPU σε σύντομο χρονικό διάστημα;
- Η μνήμη Flash Nand συνεχίζεται, το MCU Destocking Bottom είναι σωστό
- Κάτω από την έξοδο AI Air, οι δύο μεγάλοι γίγαντες τσιπ είναι "όχι ισχυρο
- Η Toshiba εγκαινιάζει το SmartMCD Series Gate Driver IC με ενσωματωμένο μικροελεγκτή