Το SIT3809AI-G-33EH είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την SIT3809AI-G-33EH, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το SIT3809AI-G-33EH μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε SIT3809AI-G-33EH με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
SIT3809AI-G-33EH
- Αριθμός εξαρτήματος:
- SIT3809AI-G-33EH
- Κατασκευαστής:
- SiTime
- Περιγραφή:
- OSC PROG LVCMOS 3.3V EN/DS 10PPM
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 45990 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 1.SIT3809AI-G-33EH.pdf2.SIT3809AI-G-33EH.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τύπος: | MEMS VCXO |
| Spread Spectrum Bandwidth: | - |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.106" L x 0.094" W (2.70mm x 2.40mm) |
| Shell Style: | 3.3V |
| Σειρά: | SiT3809 |
| Κατάσταση RoHS: | Bulk |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Πόλωση: | 4-SMD, No Lead |
| Παραγωγή: | Enable/Disable |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 85°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | SIT3809AI-G-33EH |
| Ύψος: | 0.031" (0.79mm) |
| Ανοχή συχνότητας: | ±10ppm |
| Σταθερότητα Συχνότητας (Σύνολο): | 80MHz ~ 220MHz |
| Συχνότητα - Υλοποίηση 1: | 70µA |
| Συχνότητα - Κέντρο: | - |
| Διευρυμένη περιγραφή: | 80MHz ~ 220MHz LVCMOS, LVTTL MEMS VCXO Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 36mA Enable/Disable |
| Περιγραφή: | OSC PROG LVCMOS 3.3V EN/DS 10PPM |
| Τρέχουσες - Προμήθεια (Max): | LVCMOS, LVTTL |
| Τρέχουσες - Προμήθεια (Απενεργοποίηση) (Max): | 36mA |
| Διαθέσιμο φάσμα συχνοτήτων: | Programmed by Digi-Key (Enter your frequency in Web Order Notes) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για SIT3809AI-G-33EH
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
SIT3809AI-G-33EM | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 3.3V EN/DS 10PPM | Έρευνα |
|
SIT3809AI-G-33EE | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 3.3V EN/DS 10PPM | Έρευνα |
|
SIT3809AI-G-33NH | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 3.3V 10PPM SMD | Έρευνα |
|
SIT3809AI-G-28SE | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 2.8V STBY 10PPM | Έρευνα |
|
SIT3809AI-G-28SM | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 2.8V STBY 10PPM | Έρευνα |
|
SIT3809AI-G-33NB | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 3.3V 10PPM SMD | Έρευνα |
|
SIT3809AI-G-33EZ | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 3.3V EN/DS 10PPM | Έρευνα |
|
SIT3809AI-G-33EX | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 3.3V EN/DS 10PPM | Έρευνα |
|
SIT3809AI-G-28SY | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 2.8V STBY 10PPM | Έρευνα |
|
SIT3809AI-G-33EB | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 3.3V EN/DS 10PPM | Έρευνα |
|
SIT3809AI-G-33NE | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 3.3V 10PPM SMD | Έρευνα |
|
SIT3809AI-G-28SX | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 2.8V STBY 10PPM | Έρευνα |
|
SIT3809AI-G-33NX | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 3.3V 10PPM SMD | Έρευνα |
|
SIT3809AI-G-28SZ | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 2.8V STBY 10PPM | Έρευνα |
|
SIT3809AI-G-33EG | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 3.3V EN/DS 10PPM | Έρευνα |
|
SIT3809AI-G-33NG | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 3.3V 10PPM SMD | Έρευνα |
|
SIT3809AI-G-33EY | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 3.3V EN/DS 10PPM | Έρευνα |
|
SIT3809AI-G-28SG | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 2.8V STBY 10PPM | Έρευνα |
|
SIT3809AI-G-28SH | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 2.8V STBY 10PPM | Έρευνα |
|
SIT3809AI-G-33NM | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 3.3V 10PPM SMD | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS