Το RN55C25R2BRE6 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την RN55C25R2BRE6, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το RN55C25R2BRE6 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε RN55C25R2BRE6 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
RN55C25R2BRE6
- Αριθμός εξαρτήματος:
- RN55C25R2BRE6
- Κατασκευαστής:
- Dale / Vishay
- Περιγραφή:
- RES 25.2 OHM 1/8W .1% AXIAL
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 54994 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- RN55C25R2BRE6.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση Αξιολόγηση - AC: | - |
| Τάσης - Εργασίας: | 0.125W, 1/8W |
| Τάσης - Ανάλυση: | Axial |
| Πάχος (Max): | ±50ppm/°C |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.090" Dia x 0.240" L (2.29mm x 6.10mm) |
| Σειρά: | Military, MIL-R-10509/7, RN55 |
| Κατάσταση RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Πόλωση: | Axial |
| Άλλα ονόματα: | RN55C25R2BRE6-MIL |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -65°C ~ 175°C |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 11 Weeks |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | RN55C25R2BRE6 |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | - |
| Χαρακτηριστικά: | Flame Retardant Coating, Military, Moisture Resistant, Safety |
| FIFO του: | 2 |
| Διευρυμένη περιγραφή: | 25.2 Ohm ±0.1% 0.125W, 1/8W Through Hole Resistor Axial Flame Retardant Coating, Military, Moisture Resistant, Safety Metal Film |
| ESR (Ισοδύναμη Αντίσταση Σειράς): | ±0.1% |
| Περιγραφή: | RES 25.2 OHM 1/8W .1% AXIAL |
| Επίστρωση, Στέγαση Τύπος: | Metal Film |
| εύρος ζώνης: | 25.2 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για RN55C25R2BRE6
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
RN55C2583BRE6 | Vishay Dale | RES 258K OHM 1/8W .1% AXIAL | Έρευνα |
|
RN55C2583BBSL | Dale / Vishay | RES 258K OHM 1/8W .1% AXIAL | Έρευνα |
|
RN55C2601FB14 | Dale / Vishay | RES 2.6K OHM 1/8W 1% AXIAL | Έρευνα |
|
RN55C25R0BRE6 | Vishay Dale | RES 25 OHM 1/8W .1% AXIAL | Έρευνα |
|
RN55C2583BB14 | Dale / Vishay | RES 258K OHM 1/8W .1% AXIAL | Έρευνα |
|
RN55C25R5FRE6 | Dale / Vishay | RES 25.5 OHM 1/8W 1% AXIAL | Έρευνα |
|
RN55C25R5BB14 | Dale / Vishay | RES 25.5 OHM 1/8W .1% AXIAL | Έρευνα |
|
RN55C2582BRSL | Dale / Vishay | RES 25.8K OHM 1/8W .1% AXIAL | Έρευνα |
|
RN55C2583BRSL | Dale / Vishay | RES 258K OHM 1/8W .1% AXIAL | Έρευνα |
|
RN55C25R2FB14 | Dale / Vishay | RES 25.2 OHM 1/8W 1% AXIAL | Έρευνα |
|
RN55C2583FB14 | Dale / Vishay | RES 258K OHM 1/8W 1% AXIAL | Έρευνα |
|
RN55C2603FB14 | Dale / Vishay | RES 260K OHM 1/8W 1% AXIAL | Έρευνα |
|
RN55C25R0FB14 | Dale / Vishay | RES 25 OHM 1/8W 1% AXIAL | Έρευνα |
|
RN55C25R0FRE6 | Dale / Vishay | RES 25 OHM 1/8W 1% AXIAL | Έρευνα |
|
RN55C2582FB14 | Dale / Vishay | RES 25.8K OHM 1/8W 1% AXIAL | Έρευνα |
|
RN55C2603FRE6 | Dale / Vishay | RES 260K OHM 1/8W 1% AXIAL | Έρευνα |
|
RN55C2603BB14 | Vishay Dale | RES 260K OHM 1/8W .1% AXIAL | Έρευνα |
|
RN55C2604FB14 | Dale / Vishay | RES 2.6M OHM 1/8W 1% AXIAL | Έρευνα |
|
RN55C2610BB14 | Dale / Vishay | RES 261 OHM 1/8W .1% AXIAL | Έρευνα |
|
RN55C25R5FB14 | Dale / Vishay | RES 25.5 OHM 1/8W 1% AXIAL | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών