Το R463I333050M1K είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την R463I333050M1K, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το R463I333050M1K μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε R463I333050M1K με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
R463I333050M1K
- Αριθμός εξαρτήματος:
- R463I333050M1K
- Κατασκευαστής:
- KEMET
- Περιγραφή:
- CAP FILM 0.33UF 10% 630VDC RAD
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 27805 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- R463I333050M1K.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση Αξιολόγηση - DC: | 630V |
| Τάση Αξιολόγηση - AC: | 310V |
| Ανοχή: | ±10% |
| Λήξη: | PC Pins |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.709" L x 0.394" W (18.00mm x 10.00mm) |
| Σειρά: | R46 |
| Ακροαματικότητα: | X2 |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | Radial |
| Αλλα ονόματα: | 399-12685 463I333050M1K |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 110°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | Not Applicable |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 24 Weeks |
| μόλυβδος Απόσταση: | 0.591" (15.00mm) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.634" (16.10mm) |
| Χαρακτηριστικά: | - |
| διηλεκτρικό υλικό: | Polypropylene (PP), Metallized |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 0.33µF Film Capacitor 310V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial |
| χωρητικότητα: | 0.33µF |
| εφαρμογές: | EMI, RFI Suppression |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για R463I333050M1K
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
R463I347000N0M | KEMET | CAP FILM 0.47UF 20% 630VDC RAD | Έρευνα |
 |
R463I322050L2K | KEMET | CAP FILM 0.22UF 10% 630VDC RAD | Έρευνα |
 |
R463I322040M2M | KEMET | CAP FILM 0.22UF 20% 630VDC RAD | Έρευνα |
 |
R463I33300001M | KEMET | CAP FILM 0.33UF 20% 630VDC RAD | Έρευνα |
 |
R463I33305002K | KEMET | CAP FILM 0.33UF 10% 630VDC RAD | Έρευνα |
|
R463I32204002M | KEMET | FILM, PP, RAD, EMI, 0.22UF, 310V | Έρευνα |
 |
R463I333000N0M | KEMET | CAP FILM 0.33UF 20% 630VDC RAD | Έρευνα |
 |
R463I32205002K | KEMET | CAP FILM 0.22UF 10% 630VDC RAD | Έρευνα |
|
R463I347040N0M | KEMET | FILM, PP, RAD, EMI, 0.47UF, 310A | Έρευνα |
|
R463I322050M2K | KEMET | CAP FILM 0.22UF 10% 630VDC RAD | Έρευνα |
|
R463I347040M1M | KEMET | FILM, PP, RAD, EMI, 0.47UF, 310V | Έρευνα |
 |
R463I333050N0K | KEMET | CAP FILM 0.33UF 10% 630VDC RAD | Έρευνα |
|
R463I356040N0M | KEMET | FILM, PP, RAD, EMI, 0.56UF, 310V | Έρευνα |
|
R463I347000M1K | KEMET | FILM, PP, RAD, EMI, 0.47UF, 310V | Έρευνα |
 |
R463I347050M1K | KEMET | CAP FILM 0.47UF 10% 630VDC RAD | Έρευνα |
 |
R463I33305001K | KEMET | CAP FILM 0.33UF 10% 630VDC RAD | Έρευνα |
 |
R463I347050N0M | KEMET | CAP FILM 0.47UF 20% 630VDC RAD | Έρευνα |
|
R463I347000M1M | KEMET | FILM, PP, RAD, EMI, 0.47UF, 310V | Έρευνα |
|
R463I333040N0M | KEMET | CAP FILM 0.33UF 20% 630VDC RAD | Έρευνα |
|
R463N31500001M | KEMET | FILM, PP, RAD, EMI, 0.15UF, 310V | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS
- Το μεγάλο εργοστάσιο τσιπ επηρεάστηκε από τον σεισμό: η TSMC σταμάτησε να λειτουργεί επειγόντως, επιδεινώνοντας την παροχή GPU σε σύντομο χρονικό διάστημα;
- Η μνήμη Flash Nand συνεχίζεται, το MCU Destocking Bottom είναι σωστό
- Κάτω από την έξοδο AI Air, οι δύο μεγάλοι γίγαντες τσιπ είναι "όχι ισχυρο
- Η Toshiba εγκαινιάζει το SmartMCD Series Gate Driver IC με ενσωματωμένο μικροελεγκτή
- Samsung: Αντιμετωπίστε την πρόκληση των δύο μεγάλων περιοχών, συγκεντρώστε κεφάλαια για να σπάσετε την κατάσταση
- Το ώριμο χυτήριο περιθώριο μειώνει και πάλι την τιμή, η Samsung είναι ανεξάρτητη από τη μνήμη Nvidia HBM3E