Το EGP30K είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την EGP30K, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το EGP30K μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε EGP30K με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
EGP30K
- Αριθμός εξαρτήματος:
- EGP30K
- Κατασκευαστής:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 43303 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- EGP30K.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 1.7V @ 3A |
| Τάσης - DC Reverse (VR) (Max): | 800V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | DO-201AD |
| Ταχύτητα: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Σειρά: | - |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | 75ns |
| Συσκευασία: | Cut Tape (CT) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | DO-201AD, Axial |
| Αλλα ονόματα: | EGP30KCT |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | -65°C ~ 150°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 11 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Τύπος: | Standard |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Diode Standard 800V 3A Through Hole DO-201AD |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 5µA @ 800V |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io): | 3A |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | 75pF @ 4V, 1MHz |
| Αριθμός μέρους βάσης: | EGP30K |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για EGP30K
Latest Ειδήσεις
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS
- Το μεγάλο εργοστάσιο τσιπ επηρεάστηκε από τον σεισμό: η TSMC σταμάτησε να λειτουργεί επειγόντως, επιδεινώνοντας την παροχή GPU σε σύντομο χρονικό διάστημα;
- Η μνήμη Flash Nand συνεχίζεται, το MCU Destocking Bottom είναι σωστό
- Κάτω από την έξοδο AI Air, οι δύο μεγάλοι γίγαντες τσιπ είναι "όχι ισχυρο
- Η Toshiba εγκαινιάζει το SmartMCD Series Gate Driver IC με ενσωματωμένο μικροελεγκτή
- Samsung: Αντιμετωπίστε την πρόκληση των δύο μεγάλων περιοχών, συγκεντρώστε κεφάλαια για να σπάσετε την κατάσταση
- Το ώριμο χυτήριο περιθώριο μειώνει και πάλι την τιμή, η Samsung είναι ανεξάρτητη από τη μνήμη Nvidia HBM3E