Το DSEI36-06AS-TUBE είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την DSEI36-06AS-TUBE, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το DSEI36-06AS-TUBE μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε DSEI36-06AS-TUBE με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
DSEI36-06AS-TUBE
- Αριθμός εξαρτήματος:
- DSEI36-06AS-TUBE
- Κατασκευαστής:
- IXYS Corporation
- Περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 600V 37A TO263AB
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 29820 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- DSEI36-06AS-TUBE.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Peak Reverse (Max): | Standard |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 37A |
| Τάσης - Ανάλυση: | TO-263AB |
| Σειρά: | FRED |
| Κατάσταση RoHS: | Tube |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Αντίσταση @ Αν, F: | - |
| Πόλωση: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | 50ns |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | DSEI36-06AS-TUBE |
| Διευρυμένη περιγραφή: | Diode Standard 600V 37A Surface Mount TO-263AB |
| Διαμόρφωση δίοδος: | 100µA @ 600V |
| Περιγραφή: | DIODE GEN PURP 600V 37A TO263AB |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 1.6V @ 37A |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) (ανά Diode): | 600V |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | -40°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για DSEI36-06AS-TUBE
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
DSEI30-06A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 37A TO247AD | Έρευνα |
 |
DSEK60-02AR | IXYS Corporation | DIODE ARRAY 200V 34A ISOPLUS247 | Έρευνα |
 |
DSEI30-10AR | IXYS Corporation | DIODE GP 1KV 30A ISOPLUS247 | Έρευνα |
|
DSEI30-10A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247AD | Έρευνα |
 |
DSEI8-06AS | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB | Έρευνα |
|
DSEI30-12A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 26A TO247AD | Έρευνα |
 |
DSEK60-02A | IXYS Corporation | DIODE ARRAY GP 200V 34A TO247AD | Έρευνα |
|
DSEI60-10A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247AD | Έρευνα |
|
DSEI8-06AS-TUBE | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB | Έρευνα |
 |
DSEI2X61-12B | IXYS Corporation | DIODE MODULE 1.2KV 52A SOT227B | Έρευνα |
 |
DSEI2X61-06P | IXYS Corporation | DIODE MODULE 600V 60A ECO-PAC1 | Έρευνα |
|
DSEI60-12A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 52A TO247AD | Έρευνα |
 |
DSEI2X61-12P | IXYS Corporation | DIODE MODULE 1.2KV 52A ECO-PAC1 | Έρευνα |
 |
DSEI8-06A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC | Έρευνα |
|
DSEI60-06A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD | Έρευνα |
|
DSEI36-06AS-TUB | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 37A TO263AB | Έρευνα |
|
DSEI8-06AS-TUB | IXYS Corporation | DIODE ARRAY | Έρευνα |
|
DSEI2X61-10B | IXYS Corporation | DIODE MODULE 1KV 60A SOT227B | Έρευνα |
|
DSEI2X61-10P | IXYS Corporation | DIODE MODULE 1KV 60A ECO-PAC1 | Έρευνα |
|
DSEI60-02A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 200V 69A TO247AD | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών