Το D55342E07B10B2RTP είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την D55342E07B10B2RTP, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το D55342E07B10B2RTP μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε D55342E07B10B2RTP με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
D55342E07B10B2RTP
- Αριθμός εξαρτήματος:
- D55342E07B10B2RTP
- Κατασκευαστής:
- Dale / Vishay
- Περιγραφή:
- RES SMD 10.2K OHM 0.1% 1/4W 1206
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 32391 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- D55342E07B10B2RTP.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση Αξιολόγηση - AC: | R (0.01%) |
| Τάσης - Εργασίας: | 0.25W, 1/4W |
| Τάσης - Ανάλυση: | 1206 |
| Πάχος (Max): | ±25ppm/°C |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
| Σειρά: | Military, MIL-PRF-55342, RM1206 |
| Κατάσταση RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Πόλωση: | 1206 (3216 Metric) |
| Άλλα ονόματα: | D55342E07B10B2RTP-MIL |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 24 Weeks |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | D55342E07B10B2RTP |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.033" (0.84mm) |
| Χαρακτηριστικά: | Military, Non-Inductive |
| FIFO του: | 2 |
| Διευρυμένη περιγραφή: | 10.2k Ohm ±0.1% 0.25W, 1/4W Chip Resistor 1206 (3216 Metric) Military, Non-Inductive Thin Film |
| ESR (Ισοδύναμη Αντίσταση Σειράς): | ±0.1% |
| Περιγραφή: | RES SMD 10.2K OHM 0.1% 1/4W 1206 |
| Επίστρωση, Στέγαση Τύπος: | Thin Film |
| εύρος ζώνης: | 10.2k |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για D55342E07B10B2RTP
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
D55342E07B10B2RTI | Vishay Dale | RES SMD 10.2K OHM 0.1% 1/4W 1206 | Έρευνα |
|
D55342E07B10B5PWS | Dale / Vishay | RES SMD 10.5K OHM 0.1% 1/4W 1206 | Έρευνα |
|
D55342E07B10B5RT5 | Dale / Vishay | RES SMD 10.5K OHM 0.1% 1/4W 1206 | Έρευνα |
|
D55342E07B10B2RWS | Dale / Vishay | RES SMD 10.2K OHM 0.1% 1/4W 1206 | Έρευνα |
|
D55342E07B10B5RWS | Dale / Vishay | RES SMD 10.5K OHM 0.1% 1/4W 1206 | Έρευνα |
|
D55342E07B10B2RT5 | Dale / Vishay | RES SMD 10.2K OHM 0.1% 1/4W 1206 | Έρευνα |
|
D55342E07B10B0RWI | Vishay Dale | RES SMD 10K OHM 0.1% 1/4W 1206 | Έρευνα |
|
D55342E07B10B2MWS | Dale / Vishay | RES SMD 10.2K OHM 0.1% 1/4W 1206 | Έρευνα |
 |
D55342E07B10B7R | TT Electronics/IRC | RES SMD 10.7K OHM 0.1% 1/4W 1206 | Έρευνα |
|
D55342E07B10B2R | TT Electronics/IRC | RES SMD 10.2K OHM 0.1% 1/4W 1206 | Έρευνα |
|
D55342E07B10B1RT5 | Dale / Vishay | RES SMD 10.1K OHM 0.1% 1/4W 1206 | Έρευνα |
|
D55342E07B10B5RTI | Vishay Dale | RES SMD 10.5K OHM 0.1% 1/4W 1206 | Έρευνα |
|
D55342E07B10B0RWS | Dale / Vishay | RES SMD 10K OHM 0.1% 1/4W 1206 | Έρευνα |
|
D55342E07B10B1RWS | Dale / Vishay | RES SMD 10.1K OHM 0.1% 1/4W 1206 | Έρευνα |
|
D55342E07B10B0RTP | Vishay Dale | RES SMD 10K OHM 0.1% 1/4W 1206 | Έρευνα |
|
D55342E07B10B5PT5 | Dale / Vishay | RES SMD 10.5K OHM 0.1% 1/4W 1206 | Έρευνα |
|
D55342E07B10B2RT0 | Dale / Vishay | RES SMD 10.2K OHM 0.1% 1/4W 1206 | Έρευνα |
|
D55342E07B10B4RWS | Dale / Vishay | RES SMD 10.4K OHM 0.1% 1/4W 1206 | Έρευνα |
|
D55342E07B10B7CWI | Vishay Dale | RES SMD 10.7K OHM 0.1% 1/4W 1206 | Έρευνα |
|
D55342E07B10B7RT5 | Dale / Vishay | RES SMD 10.7K OHM 0.1% 1/4W 1206 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS
- Το μεγάλο εργοστάσιο τσιπ επηρεάστηκε από τον σεισμό: η TSMC σταμάτησε να λειτουργεί επειγόντως, επιδεινώνοντας την παροχή GPU σε σύντομο χρονικό διάστημα;