Το B43540B2397M80 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την B43540B2397M80, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το B43540B2397M80 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε B43540B2397M80 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
B43540B2397M80
- Αριθμός εξαρτήματος:
- B43540B2397M80
- Κατασκευαστής:
- EPCOS
- Περιγραφή:
- CAP ALUM 390UF 20% 200V SNAP
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 26866 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- B43540B2397M80.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση - Ονομαστική: | 200V |
| Ανοχή: | ±20% |
| Surface Mount Οικόπεδο: | - |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 1.181" Dia (30.00mm) |
| Σειρά: | B43540 |
| Ρεύμα ρεύματος @ χαμηλής συχνότητας: | 1.88A @ 100Hz |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Πόλωση: | Polar |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | Radial, Can - Snap-In |
| Αλλα ονόματα: | B43540B2397M 80 B43540B2397M080 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 85°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Ισόβια @ Temp.: | 10000 Hrs @ 85°C |
| μόλυβδος Απόσταση: | 0.394" (10.00mm) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Αντίσταση: | 270 mOhms |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 1.071" (27.20mm) |
| ESR (Ισοδύναμη Αντίσταση Σειράς): | 220 mOhm @ 100Hz |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 390µF 200V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can - Snap-In 220 mOhm @ 100Hz 10000 Hrs @ 85°C |
| χωρητικότητα: | 390µF |
| εφαρμογές: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για B43540B2397M80
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
B43540B2397M2 | EPCOS | CAP ALUM 390UF 20% 200V SNAP | Έρευνα |
|
B43540B2397M67 | EPCOS | CAP ALUM 390UF 20% 200V SNAP | Έρευνα |
|
B43540B2477M62 | EPCOS | CAP ALUM 470UF 20% 200V SNAP | Έρευνα |
|
B43540B2158M87 | EPCOS | CAP ALUM 1500UF 20% 200V SNAP | Έρευνα |
|
B43540B2477M60 | EPCOS | CAP ALUM 470UF 20% 200V SNAP | Έρευνα |
|
B43540B2158M80 | EPCOS | CAP ALUM 1500UF 20% 200V SNAP | Έρευνα |
|
B43540B2397M87 | EPCOS | CAP ALUM 390UF 20% 200V SNAP | Έρευνα |
|
B43540B2397M | EPCOS | CAP ALUM 390UF 20% 200V SNAP | Έρευνα |
|
B43540B2397M7 | EPCOS | CAP ALUM 390UF 20% 200V SNAP | Έρευνα |
|
B43540B2477M7 | EPCOS | CAP ALUM 470UF 20% 200V SNAP | Έρευνα |
|
B43540B2477M2 | EPCOS | CAP ALUM 470UF 20% 200V SNAP | Έρευνα |
|
B43540B2477M67 | EPCOS | CAP ALUM 470UF 20% 200V SNAP | Έρευνα |
|
B43540B2477M80 | EPCOS | CAP ALUM 470UF 20% 200V SNAP | Έρευνα |
|
B43540B2397M62 | EPCOS | CAP ALUM 390UF 20% 200V SNAP | Έρευνα |
|
B43540B2477M82 | EPCOS | CAP ALUM 470UF 20% 200V SNAP | Έρευνα |
|
B43540B2477M | EPCOS | CAP ALUM 470UF 20% 200V SNAP | Έρευνα |
|
B43540B2397M60 | EPCOS | CAP ALUM 390UF 20% 200V SNAP | Έρευνα |
|
B43540B2158M82 | EPCOS | CAP ALUM 1500UF 20% 200V SNAP | Έρευνα |
|
B43540B2397M82 | EPCOS | CAP ALUM 390UF 20% 200V SNAP | Έρευνα |
|
B43540B2158M7 | EPCOS | CAP ALUM 1500UF 20% 200V SNAP | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS
- Το μεγάλο εργοστάσιο τσιπ επηρεάστηκε από τον σεισμό: η TSMC σταμάτησε να λειτουργεί επειγόντως, επιδεινώνοντας την παροχή GPU σε σύντομο χρονικό διάστημα;
- Η μνήμη Flash Nand συνεχίζεται, το MCU Destocking Bottom είναι σωστό
- Κάτω από την έξοδο AI Air, οι δύο μεγάλοι γίγαντες τσιπ είναι "όχι ισχυρο
- Η Toshiba εγκαινιάζει το SmartMCD Series Gate Driver IC με ενσωματωμένο μικροελεγκτή
- Samsung: Αντιμετωπίστε την πρόκληση των δύο μεγάλων περιοχών, συγκεντρώστε κεφάλαια για να σπάσετε την κατάσταση
- Το ώριμο χυτήριο περιθώριο μειώνει και πάλι την τιμή, η Samsung είναι ανεξάρτητη από τη μνήμη Nvidia HBM3E