Το 1111Y5001P30BQT είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την 1111Y5001P30BQT, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το 1111Y5001P30BQT μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε 1111Y5001P30BQT με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
1111Y5001P30BQT
- Αριθμός εξαρτήματος:
- 1111Y5001P30BQT
- Κατασκευαστής:
- Knowles Syfer
- Περιγραφή:
- CAP CER 1.3PF 500V C0G/NP0 1111
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 53149 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 1111Y5001P30BQT.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση - Ονομαστική: | 500V |
| Ανοχή: | ±0.1pF |
| Πάχος (Max): | 0.070" (1.78mm) |
| Συντελεστής θερμοκρασίας: | C0G, NP0 (1B) |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.110" L x 0.110" W (2.79mm x 2.79mm) |
| Σειρά: | FlexiCap™ |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 1111 (2828 Metric) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 125°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount, MLCC |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 8 Weeks |
| μόλυβδος Style: | - |
| μόλυβδος Απόσταση: | - |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | - |
| Χαρακτηριστικά: | High Q, Low Loss, Soft Termination |
| Ποσοστό αποτυχίας: | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 1.3pF ±0.1pF 500V Ceramic Capacitor C0G, NP0 (1B) 1111 (2828 Metric) |
| χωρητικότητα: | 1.3pF |
| εφαρμογές: | RF, Microwave, High Frequency, Boardflex Sensitive |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για 1111Y5001P30BQT
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
1111Y5001P20HUT | Knowles Syfer | CAP CER 1.2PF 500V C0G/NP0 1111 | Έρευνα |
|
1111Y5001P30CQT | Knowles Syfer | CAP CER 1.3PF 500V C0G/NP0 1111 | Έρευνα |
|
1111Y5001P40BQT | Knowles Syfer | CAP CER 1.4PF 500V C0G/NP0 1111 | Έρευνα |
|
1111Y5001P20BQT | Knowles Syfer | CAP CER 1.2PF 500V C0G/NP0 1111 | Έρευνα |
|
1111Y5001P20BUT | Knowles Syfer | CAP CER 1.2PF 500V C0G/NP0 1111 | Έρευνα |
|
1111Y5001P10HQT | Knowles Syfer | CAP CER 1.1PF 500V C0G/NP0 1111 | Έρευνα |
|
1111Y5001P20DQT | Knowles Syfer | CAP CER 1.2PF 500V C0G/NP0 1111 | Έρευνα |
|
1111Y5001P20DUT | Knowles Syfer | CAP CER 1.2PF 500V C0G/NP0 1111 | Έρευνα |
|
1111Y5001P30HQT | Knowles Syfer | CAP CER 1.3PF 500V C0G/NP0 1111 | Έρευνα |
|
1111Y5001P40CQT | Knowles Syfer | CAP CER 1.4PF 500V C0G/NP0 1111 | Έρευνα |
|
1111Y5001P30CUT | Knowles Syfer | CAP CER 1.3PF 500V C0G/NP0 1111 | Έρευνα |
|
1111Y5001P30DUT | Knowles Syfer | CAP CER 1.3PF 500V C0G/NP0 1111 | Έρευνα |
|
1111Y5001P30DQT | Knowles Syfer | CAP CER 1.3PF 500V C0G/NP0 1111 | Έρευνα |
|
1111Y5001P20CUT | Knowles Syfer | CAP CER 1.2PF 500V C0G/NP0 1111 | Έρευνα |
|
1111Y5001P30BUT | Knowles Syfer | CAP CER 1.3PF 500V C0G/NP0 1111 | Έρευνα |
|
1111Y5001P10HUT | Knowles Syfer | CAP CER 1.1PF 500V C0G/NP0 1111 | Έρευνα |
|
1111Y5001P20HQT | Knowles Syfer | CAP CER 1.2PF 500V C0G/NP0 1111 | Έρευνα |
|
1111Y5001P20CQT | Knowles Syfer | CAP CER 1.2PF 500V C0G/NP0 1111 | Έρευνα |
|
1111Y5001P30HUT | Knowles Syfer | CAP CER 1.3PF 500V C0G/NP0 1111 | Έρευνα |
|
1111Y5001P40BUT | Knowles Syfer | CAP CER 1.4PF 500V C0G/NP0 1111 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS
- Το μεγάλο εργοστάσιο τσιπ επηρεάστηκε από τον σεισμό: η TSMC σταμάτησε να λειτουργεί επειγόντως, επιδεινώνοντας την παροχή GPU σε σύντομο χρονικό διάστημα;
- Η μνήμη Flash Nand συνεχίζεται, το MCU Destocking Bottom είναι σωστό
- Κάτω από την έξοδο AI Air, οι δύο μεγάλοι γίγαντες τσιπ είναι "όχι ισχυρο
- Η Toshiba εγκαινιάζει το SmartMCD Series Gate Driver IC με ενσωματωμένο μικροελεγκτή
- Samsung: Αντιμετωπίστε την πρόκληση των δύο μεγάλων περιοχών, συγκεντρώστε κεφάλαια για να σπάσετε την κατάσταση
- Το ώριμο χυτήριο περιθώριο μειώνει και πάλι την τιμή, η Samsung είναι ανεξάρτητη από τη μνήμη Nvidia HBM3E