MAQ4123YME-TRVAO
Modèle de produit:
MAQ4123YME-TRVAO
Fabricant:
Micrel / Microchip Technology
La description:
IC MOSFET DVR 3A L-SIDE 8SOIC
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
42852 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
MAQ4123YME-TRVAO.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Code de marquage Send by email
Tension - Alimentation:4.5 V ~ 20 V
Package composant fournisseur:8-SOIC-EP
Séries:Automotive, AEC-Q100
Rise / Fall Time (Typ):11ns, 11ns
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Autres noms:1611-MAQ4123YME-CT
Température de fonctionnement:-40°C ~ 125°C (TJ)
Nombre de conducteurs:2
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):2 (1 Year)
Tension logique - VIL, VIH:0.8V, 2.4V
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Inverting
Type de porte:IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Configuration pilotée:Low-Side
Description détaillée:Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC-EP
Current - Peak Output (Source, Évier):3A, 3A
courant de charge:Independent
Email:[email protected]

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