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JANTXV1N4150-1
- Modèle de produit:
- JANTXV1N4150-1
- Fabricant:
- Microsemi
- La description:
- DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
- Statut sans plomb:
- Contient du plomb / Non conforme à RoHS
- Quantité en stock:
- 26779 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- JANTXV1N4150-1.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Inverse de crête (max): | Standard |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 200mA |
| Tension - Ventilation: | DO-35 |
| Séries: | Military, MIL-PRF-19500/231 |
| État RoHS: | Bulk |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Résistance @ Si, F: | - |
| Polarisation: | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Autres noms: | 1086-15552-MIL |
| Température d'utilisation - Jonction: | 4ns |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 20 Weeks |
| Référence fabricant: | JANTXV1N4150-1 |
| Description élargie: | Diode Standard 50V 200mA Through Hole DO-35 |
| Configuration diode: | 100nA @ 50V |
| La description: | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 1V @ 200mA |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode): | 50V |
| Capacité à Vr, F: | -65°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
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