SIT8008BCB3-30E está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para SIT8008BCB3-30E, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para SIT8008BCB3-30E por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre SIT8008BCB3-30E con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
SIT8008BCB3-30E
- Número de pieza:
- SIT8008BCB3-30E
- Fabricante:
- SiTime
- Descripción:
- OSC PROG LVCMOS 3V 20PPM EN/DS
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 21978 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Suministro de voltaje: | 3V |
| Tipo: | XO (Standard) |
| Spread Spectrum ancho de banda: | - |
| Tamaño / Medidas: | 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm) |
| Serie: | SiT8008B |
| calificaciones: | - |
| tipo programable: | Programmed by Digi-Key (Enter your frequency in Web Order Notes) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | 4-SMD, No Lead |
| Salida: | LVCMOS |
| Temperatura de funcionamiento: | -20°C ~ 70°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Altura: | 0.031" (0.79mm) |
| Función: | Enable/Disable |
| Estabilidad de Frecuencia (Total): | ±20ppm |
| Estabilidad de frecuencia: | - |
| Descripción detallada: | XO (Standard) LVCMOS 1MHz ~ 110MHz Programmable Oscillator 3V Enable/Disable 4-SMD, No Lead |
| Corriente - Fuente (Max): | 4.5mA |
| Corriente - Fuente (Deshabilitar) (Max): | 4.2mA |
| Resonador de Base: | MEMS |
| Rango de frecuencia disponibles: | 1MHz ~ 110MHz |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de SIT8008BCB3-30E
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
SIT8008BCB3-XXN | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.25-3.63V SMD | Investigación |
|
SIT8008BCB3-33E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3.3V EN/DS SMD | Investigación |
|
SIT8008BCB3-18S | SiTime | OSC PROG LVCMOS 1.8V 20PPM STBY | Investigación |
|
SIT8008BCB3-18E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 1.8V EN/DS SMD | Investigación |
|
SIT8008BCB3-28N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.8V 20PPM SMD | Investigación |
 |
SIT8008BCB23-33E-75.000000E | SiTime | OSC MEMS 75.0000MHZ LVCMOS SMD | Investigación |
|
SIT8008BCB3-25E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.5V EN/DS SMD | Investigación |
|
SIT8008BCB3-XXS | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.5-3.3V STBY | Investigación |
|
SIT8008BCB3-33N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3.3V 20PPM SMD | Investigación |
|
SIT8008BCB3-30N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3V 20PPM SMD | Investigación |
|
SIT8008BCB3-XXE | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.5-3.3V EN/DS | Investigación |
|
SIT8008BCB3-28S | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.8V 20PPM STBY | Investigación |
|
SIT8008BCB3-25N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.5V 20PPM SMD | Investigación |
|
SIT8008BCB3-30S | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3V 20PPM STBY | Investigación |
|
SIT8008BCB3-28E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.8V EN/DS SMD | Investigación |
|
SIT8008BCB3-33S | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3.3V 20PPM STBY | Investigación |
|
SIT8008BCB3-25S | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.5V 20PPM STBY | Investigación |
 |
SIT8008BCB7-18N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 1.8V 20PPM SMD | Investigación |
|
SIT8008BCB3-18N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 1.8V 20PPM SMD | Investigación |
|
SIT8008BCB7-18E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 1.8V EN/DS SMD | Investigación |
Latest Noticias
- Ansonmei lanzó un sensor de posición inductiva para el mercado industrial y de transporte
- Ruisa comienza la antigua fábrica para aumentar el dispositivo de energía, el terremoto afecta la salida DRAM
- Microchip permite la capacidad de producción de TSMC y aumenta los aumentos de los precios
- Ruisa lanzó la nueva serie RA0 Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis lanza un chip de interruptor inductor integrado completo
- X-FAB presenta la tecnología de iluminación del sensor de imágenes para mejorar el rendimiento del sensor CMOS
- La gran fábrica de chips se vio afectada por el terremoto: ¿TSMC dejó de funcionar con urgencia, exacerbando el suministro de GPU en escasez de suministro?
- La memoria flash nand continúa, MCU Destocking Bottom es correcto
- Debajo de la salida aérea de AI, los dos gigantes de chips principales son "no fuertes": destrozar el dinero para romper el juego, apostar en 2025 batallas de equipo
- Toshiba lanza IC del controlador de la puerta de la serie SmartMCD con microcontrolador integrado
- Samsung: enfrenta el desafío de las dos áreas principales, recaudar fondos para romper la situación
- La fundición del margen maduro reduce el precio nuevamente, Samsung es independiente de la memoria NVIDIA HBM3E