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MT41K256M8V89CWC1
- Número de pieza:
- MT41K256M8V89CWC1
- Fabricante:
- Micron Technology
- Descripción:
- IC DRAM 2G PARALLEL DIE
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 47099 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- MT41K256M8V89CWC1.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | - |
| Suministro de voltaje: | 1.283 V ~ 1.45 V |
| Tecnología: | SDRAM - DDR3L |
| Serie: | - |
| Temperatura de funcionamiento: | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria: | Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 2Gb (256M x 8) |
| Interfaz de memoria: | Parallel |
| Formato de memoria: | DRAM |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | SDRAM - DDR3L Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel |
| Email: | [email protected] |
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