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FQPF8N80CYDTU
- Artikelnummer:
- FQPF8N80CYDTU
- Hersteller:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 53614 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- FQPF8N80CYDTU.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| Spannung - Prüfung: | 2050pF @ 25V |
| Spannung - Durchschlag: | TO-220F-3 (Y-Forming) |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.55 Ohm @ 4A, 10V |
| Vgs (Max): | 10V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | QFET® |
| RoHS Status: | Tube |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 8A (Tc) |
| Polarisation: | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 23 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | FQPF8N80CYDTU |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 45nC @ 10V |
| IGBT-Typ: | ±30V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 5V @ 250µA |
| FET-Merkmal: | N-Channel |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 800V 8A (Tc) 59W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | - |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 800V |
| Kapazitätsverhältnis: | 59W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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