71V65603S133BQ
71V65603S133BQ
Artikelnummer:
71V65603S133BQ
Hersteller:
IDT (Integrated Device Technology)
Beschreibung:
IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA
Lead Free Status:
Enthält Blei / RoHS nicht konform
Bestandsmenge:
43698 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
71V65603S133BQ.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite:-
Spannungsversorgung:3.135 V ~ 3.465 V
Technologie:SRAM - Synchronous ZBT
Supplier Device-Gehäuse:165-CABGA (13x15)
Serie:-
Verpackung:Tray
Verpackung / Gehäuse:165-TBGA
Andere Namen:IDT71V65603S133BQ
IDT71V65603S133BQ-ND
Betriebstemperatur:0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):3 (168 Hours)
Speichertyp:Volatile
Speichergröße:9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle:Parallel
Speicherformat:SRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit:10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Contains lead / RoHS non-compliant
detaillierte Beschreibung:SRAM - Synchronous ZBT Memory IC 9Mb (256K x 36) Parallel 133MHz 4.2ns 165-CABGA (13x15)
Uhrfrequenz:133MHz
Basisteilenummer:IDT71V65603
Zugriffszeit:4.2ns
Email:[email protected]

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