70V657S12DRGI
Artikelnummer:
70V657S12DRGI
Hersteller:
IDT (Integrated Device Technology)
Beschreibung:
IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
28237 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
70V657S12DRGI.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite:12ns
Spannungsversorgung:3.15 V ~ 3.45 V
Technologie:SRAM - Dual Port, Asynchronous
Supplier Device-Gehäuse:208-PQFP (28x28)
Serie:-
Verpackung:Tray
Verpackung / Gehäuse:208-BFQFP
Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):3 (168 Hours)
Speichertyp:Volatile
Speichergröße:1.125Mb (32K x 36)
Speicherschnittstelle:Parallel
Speicherformat:SRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit:10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung:SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 12ns 208-PQFP (28x28)
Zugriffszeit:12ns
Email:[email protected]

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