S16QR je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro S16QR, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro S16QR e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si S16QR s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
S16QR
- Part Number:
- S16QR
- Výrobce:
- GeneSiC Semiconductor
- Popis:
- DIODE GEN REV 1.2KV 16A DO203AA
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 23124 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- 1.S16QR.pdf2.S16QR.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Peak Reverse (Max): | Standard, Reverse Polarity |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li: | 16A |
| Napětí - Rozdělení: | - |
| Série: | - |
| Stav RoHS: | Bulk |
| Reverse Time Recovery (TRR): | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Odpor při IF, F: | - |
| Polarizace: | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Ostatní jména: | S16QRGN |
| Typ montáže: | Chassis, Stud Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 10 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | S16QR |
| Rozšířený popis: | Diode Standard, Reverse Polarity 1200V (1.2kV) 16A Chassis, Stud Mount |
| Konfigurace dioda: | 10µA @ 50V |
| Popis: | DIODE GEN REV 1.2KV 16A DO203AA |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 1.1V @ 16A |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io) (za Diode): | 1200V (1.2kV) |
| Kapacitní @ Vr, F: | -65°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro S16QR
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
S16B | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 16A DO203AA | Dotaz |
 |
S16-4150E3/TR7 | Microsemi | DIODE ARRAY GP 50V 400MA 16SOIC | Dotaz |
|
S16GR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN REV 400V 16A DO203AA | Dotaz |
 |
S160156724 | Carlo Gavazzi | FLIP FLOP RELAY MEM 24VDC | Dotaz |
|
S16DR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN REV 200V 16A DO203AA | Dotaz |
|
S160156024 | Carlo Gavazzi | RLY FLIP FLOP MEM 24 VAC | Dotaz |
|
S16KR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN REV 800V 16A DO203AA | Dotaz |
|
S16JR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN REV 600V 16A DO203AA | Dotaz |
|
S160156115 | Carlo Gavazzi | FLIP FLOP RELAY MEM 115 VAC | Dotaz |
 |
S16J | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 16A DO203AA | Dotaz |
|
S16D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 16A DO203AA | Dotaz |
|
S16MR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN REV 1KV 16A DO203AA | Dotaz |
 |
S1613B-27.0000 | Diodes Incorporated | OSC XO 27.000MHZ LVCMOS/TTL SMD | Dotaz |
|
S16-4150E3/TR13 | Microsemi | DIODE ARRAY GP 75V 400MA 16SOIC | Dotaz |
|
S16G | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 16A DO203AA | Dotaz |
|
S160156230 | Carlo Gavazzi | RLY FLIP FLOP MEM 230 VAC | Dotaz |
 |
S16Q | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 1.2KV 16A DO203AA | Dotaz |
|
S16BR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN REV 100V 16A DO203AA | Dotaz |
|
S16M | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 1KV 16A DO203AA | Dotaz |
|
S16K | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 800V 16A DO203AA | Dotaz |
Latest News
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen