JANTX1N5814R je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro JANTX1N5814R, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro JANTX1N5814R e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si JANTX1N5814R s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
JANTX1N5814R
- Part Number:
- JANTX1N5814R
- Výrobce:
- Microsemi
- Popis:
- DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA
- Vedoucí volný stav:
- Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
- Množství zásob:
- 52729 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- JANTX1N5814R.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Peak Reverse (Max): | Standard |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li: | 20A |
| Napětí - Rozdělení: | DO-203AA (DO-4) |
| Série: | MILITARY, MIL-PRF-19500/478 |
| Stav RoHS: | Bulk |
| Reverse Time Recovery (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Odpor při IF, F: | 300pF @ 10V, 1MHz |
| Polarizace: | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Ostatní jména: | 1086-15838 1086-15838-MIL |
| Provozní teplota - spojení: | 35ns |
| Typ montáže: | Chassis, Stud Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní číslo výrobce: | JANTX1N5814R |
| Rozšířený popis: | Diode Standard 100V 20A Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) |
| Konfigurace dioda: | 10µA @ 100V |
| Popis: | DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 950mV @ 20A |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io) (za Diode): | 100V |
| Kapacitní @ Vr, F: | -65°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro JANTX1N5814R
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
JANTX1N5812 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA | Dotaz |
|
JANTX1N5807US | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF | Dotaz |
|
JANTX1N5969 | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 5W AXIAL | Dotaz |
|
JANTX1N6074 | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 850MA AXIAL | Dotaz |
|
JANTX1N5809US | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF | Dotaz |
|
JANTX1N5809URS | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG | Dotaz |
|
JANTX1N5814 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA | Dotaz |
 |
JANTX1N5811 | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 3A AXIAL | Dotaz |
|
JANTX1N5968 | Microsemi | DIODE ZENER 5.6V 5W AXIAL | Dotaz |
 |
JANTX1N6075 | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 850MA AXIAL | Dotaz |
 |
JANTX1N5811US | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF | Dotaz |
|
JANTX1N5809 | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL | Dotaz |
|
JANTX1N5816 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA | Dotaz |
|
JANTX1N5968US | Microsemi | DIODE ZENER 5.6V 5W AXIAL | Dotaz |
 |
JANTX1N5819-1 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO204AL | Dotaz |
|
JANTX1N5811URS | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG | Dotaz |
|
JANTX1N5819UR-1 | Microsemi | SCHOTTKY | Dotaz |
|
JANTX1N5969US | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 5W AXIAL | Dotaz |
|
JANTX1N5807URS | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG | Dotaz |
|
JANTX1N6073 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL | Dotaz |
Latest News
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen