JAN1N3890 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro JAN1N3890, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro JAN1N3890 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si JAN1N3890 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
JAN1N3890
- Part Number:
- JAN1N3890
- Výrobce:
- Microsemi
- Popis:
- DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA
- Vedoucí volný stav:
- Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
- Množství zásob:
- 46020 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- JAN1N3890.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Peak Reverse (Max): | Standard |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li: | 12A |
| Napětí - Rozdělení: | DO-203AA (DO-4) |
| Série: | Military, MIL-PRF-19500/304 |
| Stav RoHS: | Bulk |
| Reverse Time Recovery (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Odpor při IF, F: | - |
| Polarizace: | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Ostatní jména: | 1086-15702 1086-15702-MIL |
| Provozní teplota - spojení: | 200ns |
| Typ montáže: | Stud Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní číslo výrobce: | JAN1N3890 |
| Rozšířený popis: | Diode Standard 100V 12A Stud Mount DO-203AA (DO-4) |
| Konfigurace dioda: | 10µA @ 100V |
| Popis: | DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 1.5V @ 38A |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io) (za Diode): | 100V |
| Kapacitní @ Vr, F: | -65°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro JAN1N3890
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N3957 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL | Dotaz |
 |
JAN1N3827AUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 5.6V 1W DO213AB | Dotaz |
 |
JAN1N3910 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 50A DO5 | Dotaz |
|
JAN1N3828DUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 1W DO213AB | Dotaz |
 |
JAN1N3828D-1 | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 1W DO41 | Dotaz |
 |
JAN1N4099UR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 6.8V DO213AA | Dotaz |
|
JAN1N4099DUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 6.8V DO213AA | Dotaz |
 |
JAN1N4099D-1 | Microsemi | DIODE ZENER 6.8V DO35 | Dotaz |
|
JAN1N4099C-1 | Microsemi | DIODE ZENER 6.8V DO35 | Dotaz |
|
JAN1N3827D-1 | Microsemi | DIODE ZENER 5.6V 1W DO41 | Dotaz |
|
JAN1N3827CUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 5.6V 1W DO213AB | Dotaz |
|
JAN1N3828CUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 1W DO213AB | Dotaz |
|
JAN1N3828AUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 1W DO213AB | Dotaz |
|
JAN1N3909R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 50A DO203AB | Dotaz |
|
JAN1N4100-1 | Microsemi | DIODE ZENER 7.5V DO35 | Dotaz |
|
JAN1N3827C-1 | Microsemi | DIODE ZENER 5.6V 1W DO41 | Dotaz |
|
JAN1N4099CUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 6.8V DO213AA | Dotaz |
|
JAN1N3828C-1 | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 1W DO41 | Dotaz |
|
JAN1N4099-1 | Microsemi | DIODE ZENER 6.8V DO35 | Dotaz |
|
JAN1N3827DUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 5.6V 1W DO213AB | Dotaz |
Latest News
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen