IRLML2402GTRPBF je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro IRLML2402GTRPBF, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro IRLML2402GTRPBF e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si IRLML2402GTRPBF s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
IRLML2402GTRPBF
- Part Number:
- IRLML2402GTRPBF
- Popis:
- MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23-3
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 37852 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- IRLML2402GTRPBF.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Test: | 110pF @ 15V |
| Napětí - Rozdělení: | Micro3™/SOT-23 |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 250 mOhm @ 930mA, 4.5V |
| Vgs (Max): | 2.7V, 4.5V |
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Série: | HEXFET® |
| Stav RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 1.2A (Ta) |
| Polarizace: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Ostatní jména: | IRLML2402GTRPBF-ND IRLML2402GTRPBFTR SP001572972 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 10 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | IRLML2402GTRPBF |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 3.9nC @ 4.5V |
| Typ IGBT: | ±12V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 700mV @ 250µA |
| FET Feature: | N-Channel |
| Rozšířený popis: | N-Channel 20V 1.2A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | - |
| Popis: | MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23-3 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 20V |
| kapacitní Ratio: | 540mW (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro IRLML2402GTRPBF
Latest News
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen