GBU6M-E3/51 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro GBU6M-E3/51, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro GBU6M-E3/51 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si GBU6M-E3/51 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
GBU6M-E3/51
- Part Number:
- GBU6M-E3/51
- Výrobce:
- Popis:
- DIODE GPP 6A 1000V GPP INLINE
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 51060 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- 1.GBU6M-E3/51.pdf2.GBU6M-E3/51.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Peak Reverse (Max): | Single Phase |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li: | 3.8A |
| Napětí - Rozdělení: | GBU |
| Technika: | Standard |
| Série: | - |
| Stav RoHS: | Bulk |
| Polarizace: | 4-SIP, GBU |
| Ostatní jména: | GBU6M-E3/51-ND GBU6ME351 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 24 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | GBU6M-E3/51 |
| Rozšířený popis: | Bridge Rectifier Single Phase 1000V 3.8A Through Hole GBU |
| Konfigurace dioda: | 5µA @ 1000V |
| Popis: | DIODE GPP 6A 1000V GPP INLINE |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 1V @ 6A |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io): | 1000V |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro GBU6M-E3/51
Latest News
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen