GAP05SLT80-220 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro GAP05SLT80-220, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro GAP05SLT80-220 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si GAP05SLT80-220 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
GAP05SLT80-220
- Part Number:
- GAP05SLT80-220
- Výrobce:
- GeneSiC Semiconductor
- Popis:
- DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 24979 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- GAP05SLT80-220.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Peak Reverse (Max): | Silicon Carbide Schottky |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li: | 50mA (DC) |
| Napětí - Rozdělení: | - |
| Série: | - |
| Stav RoHS: | Tube |
| Reverse Time Recovery (TRR): | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Odpor při IF, F: | 25pF @ 1V, 1MHz |
| Polarizace: | Axial |
| Ostatní jména: | 1242-1257 |
| Provozní teplota - spojení: | 0ns |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 18 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | GAP05SLT80-220 |
| Rozšířený popis: | Diode Silicon Carbide Schottky 8000V (8kV) 50mA (DC) Through Hole |
| Konfigurace dioda: | 3.8µA @ 8000V |
| Popis: | DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 4.6V @ 50mA |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io) (za Diode): | 8000V (8kV) |
| Kapacitní @ Vr, F: | -55°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro GAP05SLT80-220
Latest News
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný