DSK10E je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro DSK10E, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro DSK10E e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si DSK10E s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
DSK10E
- Part Number:
- DSK10E
- Popis:
- DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 45954 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- DSK10E.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Peak Reverse (Max): | Standard |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li: | 1A |
| Napětí - Rozdělení: | - |
| Série: | - |
| Stav RoHS: | Bulk |
| Reverse Time Recovery (TRR): | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Odpor při IF, F: | - |
| Polarizace: | R-1 (Axial) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní číslo výrobce: | DSK10E |
| Rozšířený popis: | Diode Standard 400V 1A Through Hole |
| Konfigurace dioda: | 10µA @ 400V |
| Popis: | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 1.1V @ 1A |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io) (za Diode): | 400V |
| Kapacitní @ Vr, F: | 150°C (Max) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro DSK10E
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
DSK-3R3H204T614-H2L | Elna America | CAP 200MF -20% +80% 3.3V SMD | Dotaz |
 |
DSK10C | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | Dotaz |
|
DSK10E-BT | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | Dotaz |
|
DSK10C-BT | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | Dotaz |
|
DSK10C-AT1 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | Dotaz |
 |
DSK10B-AT1 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL | Dotaz |
|
DSK-3R3H703T414-HLL | Elna America | CAP 70MF -20% +80% 3.3V SMD | Dotaz |
|
DSK10B-BT | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL | Dotaz |
 |
DSK5J01P0L | Panasonic | JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B | Dotaz |
|
DSK-3R3H224U-HL | Elna America | CAP 220MF -20% +80% 3.3V SMD | Dotaz |
|
DSK10E-ET1 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | Dotaz |
 |
SCSF0 | Semtech Corporation | DIODE RECT 1KV 120A STD ASSY | Dotaz |
|
DSK10C-ET1 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | Dotaz |
|
DSK-3R3H334T-HL | Elna America | CAP 330MF -20% +80% 3.3V SMD | Dotaz |
|
DSK10E-AT1 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | Dotaz |
 |
DGP20HE3/54 | Electro-Films (EFI) / Vishay | DIODE GEN PURP 1.5KV 2A DO204AC | Dotaz |
|
DSK-3R3H703T414-HRL | Elna America | CAP 70MF -20% +80% 3.3V SMD | Dotaz |
|
DSK10B | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL | Dotaz |
|
DSK5J01Q0L | Panasonic | JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B | Dotaz |
 |
DSK9J01P0L | Panasonic | JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI3 | Dotaz |
Latest News
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS