WSLT2512R0180FEB متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل WSLT2512R0180FEB، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل WSLT2512R0180FEB عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء WSLT2512R0180FEB مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
WSLT2512R0180FEB
- رقم القطعة:
- WSLT2512R0180FEB
- الصانع:
- Dale / Vishay
- وصف:
- RES SMD 0.018 OHM 1% 1W 2512
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 38941 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.WSLT2512R0180FEB.pdf2.WSLT2512R0180FEB.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تقييم الجهد - AC: | - |
| الجهد - العمل: | 1W |
| الجهد - انهيار: | 2512 |
| سمك (ماكس): | ±75ppm/°C |
| حجم / البعد: | 0.250" L x 0.125" W (6.35mm x 3.18mm) |
| سلسلة: | WSLT |
| بنفايات الحالة: | Tape & Reel (TR) |
| الاستقطاب: | 2512 (6432 Metric) |
| اسماء اخرى: | WSLTB-.018TR |
| درجة حرارة التشغيل: | -65°C ~ 275°C |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 32 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | WSLT2512R0180FEB |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.035" (0.89mm) |
| الميزات: | Current Sense, Moisture Resistant, Pulse Withstanding |
| في FIFO: | 2 |
| وصف موسع: | 0.018 Ohm ±1% 1W Chip Resistor 2512 (6432 Metric) Current Sense, Moisture Resistant, Pulse Withstanding Metal Element |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | ±1% |
| وصف: | RES SMD 0.018 OHM 1% 1W 2512 |
| طلاء، نوع السكن: | Metal Element |
| عرض النطاق الترددي: | 0.018 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لWSLT2512R0180FEB
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC