VLS3015ET-3R3M متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل VLS3015ET-3R3M، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل VLS3015ET-3R3M عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء VLS3015ET-3R3M مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
VLS3015ET-3R3M
- رقم القطعة:
- VLS3015ET-3R3M
- الصانع:
- TDK Corporation
- وصف:
- FIXED IND 3.3UH 1.15A 112 MOHM
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 51126 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- VLS3015ET-3R3M.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - انهيار: | - |
| استعمال: | Shielded |
| اكتب: | Wirewound |
| حجم / البعد: | 0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm) |
| سلسلة: | VLS |
| بنفايات الحالة: | Digi-Reel® |
| تصنيفات: | - |
| الاستقطاب: | Nonstandard |
| اسماء اخرى: | 445-6677-6 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 105°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | VLS3015ET-3R3M |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.059" (1.50mm) |
| نوع الأجهزة: | 3.3µH |
| تردد - اختبار: | - |
| تردد - الذاتي الرنين: | 112 mOhm Max |
| وصف موسع: | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 1.15A 112 mOhm Max Nonstandard |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | ±20% |
| قطر - الكتف: | - |
| وصف: | FIXED IND 3.3UH 1.15A 112 MOHM |
| وقت التأخير: | 1MHz |
| DC المقاومة (DCR): | 1.15A |
| التصويت الحالي: | 1.15A |
| الحالي - التشبع: | Ferrite |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لVLS3015ET-3R3M
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل