SIT8008BCB3-30E متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل SIT8008BCB3-30E، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل SIT8008BCB3-30E عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء SIT8008BCB3-30E مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
SIT8008BCB3-30E
- رقم القطعة:
- SIT8008BCB3-30E
- الصانع:
- SiTime
- وصف:
- OSC PROG LVCMOS 3V 20PPM EN/DS
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 21978 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 3V |
| اكتب: | XO (Standard) |
| انتشار الطيف الترددي: | - |
| حجم / البعد: | 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm) |
| سلسلة: | SiT8008B |
| تصنيفات: | - |
| برمجة نوع: | Programmed by Digi-Key (Enter your frequency in Web Order Notes) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 4-SMD, No Lead |
| الناتج: | LVCMOS |
| درجة حرارة التشغيل: | -20°C ~ 70°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع: | 0.031" (0.79mm) |
| وظيفة: | Enable/Disable |
| استقرار التردد (الإجمالي): | ±20ppm |
| تردد الاستقرار: | - |
| وصف تفصيلي: | XO (Standard) LVCMOS 1MHz ~ 110MHz Programmable Oscillator 3V Enable/Disable 4-SMD, No Lead |
| الحالي - توريد (ماكس): | 4.5mA |
| الحالي - توريد (تعطيل) (ماكس): | 4.2mA |
| الرنان الأساسي: | MEMS |
| available حدود التردد: | 1MHz ~ 110MHz |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSIT8008BCB3-30E
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SIT8008BCB3-XXN | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.25-3.63V SMD | تحقيق |
|
SIT8008BCB3-33E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3.3V EN/DS SMD | تحقيق |
|
SIT8008BCB3-18S | SiTime | OSC PROG LVCMOS 1.8V 20PPM STBY | تحقيق |
|
SIT8008BCB3-18E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 1.8V EN/DS SMD | تحقيق |
|
SIT8008BCB3-28N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.8V 20PPM SMD | تحقيق |
 |
SIT8008BCB23-33E-75.000000E | SiTime | OSC MEMS 75.0000MHZ LVCMOS SMD | تحقيق |
|
SIT8008BCB3-25E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.5V EN/DS SMD | تحقيق |
|
SIT8008BCB3-XXS | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.5-3.3V STBY | تحقيق |
|
SIT8008BCB3-33N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3.3V 20PPM SMD | تحقيق |
|
SIT8008BCB3-30N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3V 20PPM SMD | تحقيق |
|
SIT8008BCB3-XXE | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.5-3.3V EN/DS | تحقيق |
|
SIT8008BCB3-28S | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.8V 20PPM STBY | تحقيق |
|
SIT8008BCB3-25N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.5V 20PPM SMD | تحقيق |
|
SIT8008BCB3-30S | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3V 20PPM STBY | تحقيق |
|
SIT8008BCB3-28E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.8V EN/DS SMD | تحقيق |
|
SIT8008BCB3-33S | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3.3V 20PPM STBY | تحقيق |
|
SIT8008BCB3-25S | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.5V 20PPM STBY | تحقيق |
 |
SIT8008BCB7-18N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 1.8V 20PPM SMD | تحقيق |
|
SIT8008BCB3-18N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 1.8V 20PPM SMD | تحقيق |
|
SIT8008BCB7-18E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 1.8V EN/DS SMD | تحقيق |
Latest الأخبار
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS
- تأثر مصنع الرقائق الكبير بالزلزال: توقف TSMC عن العمل بشكل عاجل ، مما أدى إلى تفاقم إمدادات وحدة معالجة الرسومات في نقص العرض؟
- تستمر ذاكرة NAND Flash ، MCU Derocking Bottom على حق
- تحت منفذ AI Air ، فإن عمالقة الرقائق الرئيسية "ليست قوية": تحطيم الأموال لكسر اللعبة ، رهان في معارك فريق 2025
- Toshiba تطلق SmartMCD Series Gate Driver مع متحكم مدمج