SB220E-G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل SB220E-G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل SB220E-G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء SB220E-G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
SB220E-G
- رقم القطعة:
- SB220E-G
- الصانع:
- Comchip Technology
- وصف:
- DIODE SCHOTTKY 20V 2A DO15
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 32463 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- SB220E-G.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | Schottky |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 2A |
| الجهد - انهيار: | DO-15 |
| سلسلة: | - |
| بنفايات الحالة: | Tape & Reel (TR) |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| المقاومة @ إذا، F: | - |
| الاستقطاب: | DO-204AC, DO-15, Axial |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | SB220E-G |
| وصف موسع: | Diode Schottky 20V 2A Through Hole DO-15 |
| تكوين الصمام الثنائي: | 500µA @ 20V |
| وصف: | DIODE SCHOTTKY 20V 2A DO15 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 500mV @ 2A |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 20V |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | -65°C ~ 125°C |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSB220E-G
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار