S25JR متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل S25JR، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل S25JR عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء S25JR مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
S25JR
- رقم القطعة:
- S25JR
- الصانع:
- GeneSiC Semiconductor
- وصف:
- DIODE GEN REV 600V 25A DO203AA
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 54660 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.S25JR.pdf2.S25JR.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | Standard, Reverse Polarity |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 25A |
| الجهد - انهيار: | - |
| سلسلة: | - |
| بنفايات الحالة: | Bulk |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| المقاومة @ إذا، F: | - |
| الاستقطاب: | DO-203AA, DO-4, Stud |
| اسماء اخرى: | S25JRGN |
| تصاعد نوع: | Chassis, Stud Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | S25JR |
| وصف موسع: | Diode Standard, Reverse Polarity 600V 25A Chassis, Stud Mount |
| تكوين الصمام الثنائي: | 10µA @ 50V |
| وصف: | DIODE GEN REV 600V 25A DO203AA |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 1.1V @ 25A |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 600V |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | -65°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لS25JR
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
S25P150D15Y | Tamura | SENSOR CURRENT HALL 150A AC/DC | تحقيق |
 |
S25FS512SDSNFV013 | Cypress Semiconductor | IC FLASH 512M SPI 80MHZ | تحقيق |
|
S25FS512SDSNFI013 | Cypress Semiconductor | IC FLASH 512M SPI 80MHZ | تحقيق |
 |
S25K | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 800V 25A DO203AA | تحقيق |
|
S25MR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN REV 1KV 25A DO203AA | تحقيق |
|
S25M | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 1KV 25A DO203AA | تحقيق |
|
S25G | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 25A DO203AA | تحقيق |
|
S25J | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 25A DO203AA | تحقيق |
|
S25FS512SDSNFV011 | Cypress Semiconductor | IC FLASH 512M SPI 80MHZ | تحقيق |
|
S25P100D15Y | Tamura | SENSOR CURRENT HALL 100A AC/DC | تحقيق |
|
S25FS512SDSNFV010 | Cypress Semiconductor | IC FLASH 512M SPI 80MHZ 8WSON | تحقيق |
|
S25FS512SDSNFI011 | Cypress Semiconductor | IC FLASH 512M SPI 80MHZ | تحقيق |
 |
S25FS512SFABHB213 | Cypress Semiconductor | IC 512 MB FLASH MEMORY | تحقيق |
|
S25QR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN REV 1.2KV 25A DO203AA | تحقيق |
|
S25KR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN REV 800V 25A DO203AA | تحقيق |
|
S25GR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN REV 400V 25A DO203AA | تحقيق |
 |
S25P100D15X | Tamura | SENSOR CURRENT HALL 100A AC/DC | تحقيق |
|
S25P050D15X | Tamura | SENSOR CURRENT HALL 50A AC/DC | تحقيق |
|
S25FS512SFABHB210 | Cypress Semiconductor | IC 512 MB FLASH MEMORY | تحقيق |
|
S25Q | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO203AA | تحقيق |
Latest الأخبار
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS