RWR82S6810BMS73 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل RWR82S6810BMS73، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل RWR82S6810BMS73 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء RWR82S6810BMS73 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
RWR82S6810BMS73
- رقم القطعة:
- RWR82S6810BMS73
- الصانع:
- Dale / Vishay
- وصف:
- RES 681 OHM 1.5W 0.1% AXIAL
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 24249 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- RWR82S6810BMS73.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تقييم الجهد - AC: | M (1%) |
| الجهد - العمل: | 1.5W |
| الجهد - انهيار: | Axial |
| سمك (ماكس): | ±20ppm/°C |
| حجم / البعد: | 0.078" Dia x 0.312" L (1.98mm x 7.92mm) |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-39007, RWR82S |
| بنفايات الحالة: | Tape & Reel (TR) |
| الاستقطاب: | Axial |
| اسماء اخرى: | RWR82S6810BMS73-MIL |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 250°C |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 15 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | RWR82S6810BMS73 |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | - |
| الميزات: | Military, Moisture Resistant |
| في FIFO: | 2 |
| وصف موسع: | 681 Ohm ±0.1% 1.5W Through Hole Resistor Axial Military, Moisture Resistant Wirewound |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | ±0.1% |
| وصف: | RES 681 OHM 1.5W 0.1% AXIAL |
| طلاء، نوع السكن: | Wirewound |
| عرض النطاق الترددي: | 681 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لRWR82S6810BMS73
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC