RFN10B3STL متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل RFN10B3STL، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل RFN10B3STL عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء RFN10B3STL مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
RFN10B3STL
- رقم القطعة:
- RFN10B3STL
- الصانع:
- LAPIS Semiconductor
- وصف:
- DIODE GEN PURP 350V 10A CPD
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 55297 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- RFN10B3STL.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | Standard |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 10A |
| الجهد - انهيار: | CPD |
| سلسلة: | - |
| بنفايات الحالة: | Tape & Reel (TR) |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| المقاومة @ إذا، F: | - |
| الاستقطاب: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| اسماء اخرى: | RFN10B3STLTR |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | 30ns |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | RFN10B3STL |
| وصف موسع: | Diode Standard 350V 10A Surface Mount CPD |
| تكوين الصمام الثنائي: | 10µA @ 350V |
| وصف: | DIODE GEN PURP 350V 10A CPD |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 1.5V @ 10A |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 350V |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 150°C (Max) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لRFN10B3STL
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
RFN10NS6SFHTL | LAPIS Semiconductor | FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND | تحقيق |
 |
RFN20TF6SFH | LAPIS Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM | تحقيق |
 |
RFN20NS6STL | LAPIS Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 20A LPDS | تحقيق |
 |
RFN2L4STE25 | LAPIS Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 400V 1.5A PMDS | تحقيق |
 |
RFN10BM6SFHTL | LAPIS Semiconductor | SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q | تحقيق |
|
RFN20NS4SFHTL | LAPIS Semiconductor | FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q101 QU | تحقيق |
|
RFN10NS6STL | LAPIS Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS | تحقيق |
|
RFN1L7STE25 | LAPIS Semiconductor | DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDS | تحقيق |
|
RFN10BM3SFHTL | LAPIS Semiconductor | SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE | تحقيق |
 |
RFN20TJ6SGC9 | LAPIS Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 20A TO220 | تحقيق |
 |
RFN10BM3STL | LAPIS Semiconductor | DIODE GEN PURP 350V 10A TO252 | تحقيق |
 |
RFN10T2D | LAPIS Semiconductor | DIODE ARRAY GP 200V 5A TO220FN | تحقيق |
|
RFN1L6STE25 | LAPIS Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS | تحقيق |
 |
RFN1LAM6STR | LAPIS Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM | تحقيق |
|
RFN10TF6S | LAPIS Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM | تحقيق |
|
RFN1LAM7STR | LAPIS Semiconductor | DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDTM | تحقيق |
|
RFN20NS3SFHTL | LAPIS Semiconductor | FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND | تحقيق |
|
RFN20TF6S | LAPIS Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM | تحقيق |
|
RFN1LAM7STFTR | LAPIS Semiconductor | AUTOMOTIVE FAST RECOVERY DIODE ( | تحقيق |
|
RFN20NS6SFHTL | LAPIS Semiconductor | FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND | تحقيق |
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار