NSR10F30QNXT5G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل NSR10F30QNXT5G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل NSR10F30QNXT5G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء NSR10F30QNXT5G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
NSR10F30QNXT5G
- رقم القطعة:
- NSR10F30QNXT5G
- وصف:
- DIODE SCHOTTKY 30V 1A 2DSN
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 58128 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- NSR10F30QNXT5G.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | Schottky |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1A (DC) |
| الجهد - انهيار: | 2-DSN (1.4x0.6) |
| سلسلة: | - |
| بنفايات الحالة: | Tape & Reel (TR) |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| المقاومة @ إذا، F: | - |
| الاستقطاب: | 2-XDFN |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 20 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | NSR10F30QNXT5G |
| وصف موسع: | Diode Schottky 30V 1A (DC) Surface Mount 2-DSN (1.4x0.6) |
| تكوين الصمام الثنائي: | 100µA @ 30V |
| وصف: | DIODE SCHOTTKY 30V 1A 2DSN |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 470mV @ 1A |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 30V |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | -55°C ~ 125°C |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNSR10F30QNXT5G
Latest الأخبار
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي