LQP03TG33NJ02D متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل LQP03TG33NJ02D، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل LQP03TG33NJ02D عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء LQP03TG33NJ02D مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
LQP03TG33NJ02D
- رقم القطعة:
- LQP03TG33NJ02D
- الصانع:
- Murata Electronics
- وصف:
- FIXED IND 33NH 110MA 4.25 OHM
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 59986 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | Thin Film |
| تسامح: | ±5% |
| تجار الأجهزة حزمة: | 0201 (0603 Metric) |
| حجم / البعد: | 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm) |
| التدريع: | Unshielded |
| سلسلة: | LQP03 |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | 7 @ 300MHz |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 0201 (0603 Metric) |
| اسماء اخرى: | 490-12943-2 LQP03TG33NJ02D-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | Non-Magnetic |
| الصانع المهلة القياسية: | 9 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 300MHz |
| الحث: | 33nH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.013" (0.33mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | 1.6GHz |
| وصف تفصيلي: | 33nH Unshielded Thin Film Inductor 110mA 4.25 Ohm Max 0201 (0603 Metric) |
| DC المقاومة (DCR): | 4.25 Ohm Max |
| التصويت الحالي: | 110mA |
| الحالي - التشبع: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لLQP03TG33NJ02D
Latest الأخبار
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU