LLA185C70G104MA01L متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل LLA185C70G104MA01L، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل LLA185C70G104MA01L عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء LLA185C70G104MA01L مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
LLA185C70G104MA01L
- رقم القطعة:
- LLA185C70G104MA01L
- الصانع:
- Murata Electronics
- وصف:
- CAP CER 0.1UF 4V X7S 0603
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 36941 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - تقييمه: | 4V |
| تسامح: | 0.1µF |
| سمك (ماكس): | X7S |
| السطح حجم جبل لاند: | - |
| حجم / البعد: | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
| سلسلة: | LLA |
| بنفايات الحالة: | Tape & Reel (TR) |
| تموج الحالي - التردد المنخفض: | Bypass, Decoupling |
| تصنيفات: | - |
| الاستقطاب: | 0603 (1608 Metric) |
| اسماء اخرى: | 490-8380-2 LLA185C70G104MA01L-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount, MLCC |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | LLA185C70G104MA01L |
| قيادي نمط: | 0.022" (0.55mm) |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | - |
| الميزات: | Low ESL (Multi-Terminal) |
| معدل الفشل: | - |
| وصف موسع: | 0.1µF ±20% 4V Ceramic Capacitor X7S 0603 (1608 Metric) |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | ±20% |
| وصف: | CAP CER 0.1UF 4V X7S 0603 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لLLA185C70G104MA01L
Latest الأخبار
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل