K102K20C0GK53L2 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل K102K20C0GK53L2، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل K102K20C0GK53L2 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء K102K20C0GK53L2 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
K102K20C0GK53L2
- رقم القطعة:
- K102K20C0GK53L2
- الصانع:
- Angstrohm / Vishay
- وصف:
- CAP CER 1000PF 200V C0G/NP0 RAD
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 55685 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.K102K20C0GK53L2.pdf2.K102K20C0GK53L2.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تقييم الجهد - AC: | - |
| الجهد - تقييمه: | 200V |
| تسامح: | 1000pF |
| سمك (ماكس): | C0G, NP0 |
| السطح حجم جبل لاند: | 0.098" (2.50mm) |
| حجم / البعد: | 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm) |
| سلسلة: | Mono-Kap™ K |
| بنفايات الحالة: | Bulk |
| تموج الحالي - التردد المنخفض: | General Purpose |
| تصنيفات: | - |
| الاستقطاب: | Radial |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | K102K20C0GK53L2 |
| قيادي نمط: | - |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.062" (1.58mm) |
| الميزات: | - |
| معدل الفشل: | Straight |
| وصف موسع: | 1000pF ±10% 200V Ceramic Capacitor C0G, NP0 Radial |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | ±10% |
| وصف: | CAP CER 1000PF 200V C0G/NP0 RAD |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لK102K20C0GK53L2
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار