JANTXV1N6677UR-1 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل JANTXV1N6677UR-1، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل JANTXV1N6677UR-1 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء JANTXV1N6677UR-1 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
JANTXV1N6677UR-1
- رقم القطعة:
- JANTXV1N6677UR-1
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE SCHOTTKY 40V 200MA DO213AA
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 43422 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- JANTXV1N6677UR-1.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | Schottky |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 200mA |
| الجهد - انهيار: | DO-213AA |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-19500/610 |
| بنفايات الحالة: | Bulk |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| المقاومة @ إذا، F: | 50pF @ 0V, 1MHz |
| الاستقطاب: | DO-213AA |
| اسماء اخرى: | 1086-15585-MIL |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | JANTXV1N6677UR-1 |
| وصف موسع: | Diode Schottky 40V 200mA Surface Mount DO-213AA |
| تكوين الصمام الثنائي: | 5µA @ 40V |
| وصف: | DIODE SCHOTTKY 40V 200MA DO213AA |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 500mV @ 200mA |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 40V |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | -65°C ~ 125°C |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لJANTXV1N6677UR-1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
JANTXV1N6660CAT1 | Microsemi | DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO254AA | تحقيق |
 |
JANTXV1N6858UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 70V 75MA DO213AA | تحقيق |
|
JANTXV1N7039CCT1 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 150V 35A TO254 | تحقيق |
 |
JANTXV1N746A-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 | تحقيق |
 |
JANTXV1N6761UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO41 | تحقيق |
 |
JANTXV1N6661US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 225V 500MA D5A | تحقيق |
|
JANTXV1N6673 | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 15A TO251 | تحقيق |
|
JANTXV1N746C-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 | تحقيق |
|
JANTXV1N6660R | Microsemi | DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO254AA | تحقيق |
|
JANTXV1N6660DT1 | Microsemi | DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO254AA | تحقيق |
|
JANTXV1N6674 | Microsemi | DIODE GEN PURP 500V 15A TO254 | تحقيق |
|
JANTXV1N6864US | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 80V 3A DO213AA | تحقيق |
|
JANTXV1N6660CCT1 | Microsemi | DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO254AA | تحقيق |
|
JANTXV1N6662US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 500MA D5A | تحقيق |
|
JANTXV1N6845U3 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 45V 30A DO41 | تحقيق |
 |
JANTXV1N6843CCU3 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 100V 15A U3 | تحقيق |
|
JANTXV1N6844U3 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 75V 300MA U3 | تحقيق |
|
JANTXV1N6674R | Microsemi | DIODE GEN PURP 500V 15A D5D | تحقيق |
|
JANTXV1N746CUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA | تحقيق |
|
JANTXV1N6643US | Microsemi | DIODE GEN PURP 75V 300MA D-MELF | تحقيق |
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار